RN5RZ26BATR芯片制造设备的外国公司必须先获得美国许可证，然后才能向华为海思提供某些芯片或服务，这意味着为华为海思芯片代工的台积电也将受到限制，因此很多人都将希望寄在了中芯国际身上。中芯国际回归A股事件，之所以受到资本如此追捧，其实与华为等高科技公司被美国“卡脖子”息息相关。

中芯国际是大陆最先进的晶圆体代工厂，不过现阶段中芯国际只有14nm工艺的技术，对比台积电的7nm甚至5nm，差距确实非常明显，至于为什么有这么大的差距，主要是因为中芯国际无法购买到全球最先进的ASML光刻机。

国内代工最先进的芯片的有实力的厂商确实仍是比较少，因为这是一个长期的资金投入与研制发的过程，想在短时间内打破仍是较难的。最主要是因为芯片代工过高的门槛，其中最大的门槛是科技水平：

台积电的最新工艺是5nm，据称苹果的A14芯片台积电已经使用5nm的工艺开始量产了；而像其它芯片代工企业，格芯等停留在10nm停滞不前，三星则据称今年也将进入5nm，但还没完全确切的消息。

科技门槛之外还有一个资金门槛。尤其是当芯片进入到5nm时代后，想要继续往下研究发展，那就真的是“机器一响，黄金万两”，除了三星、台积电外，其他企业都很难有这种级别的资金支持。

IGBT是能源转换与传输的核心器件，被称为“电力电子行业的CPU”。随着物联网（IoT）和低碳环保的概念越来越深入人心，能源绿色化和家电智能化与变频化的需求已势不可挡，将持续推动IGBT市场的高速增长。

华虹半导体作为全球首家提供场截止型（FS, Field Stop）IGBT量产技术的8英寸晶圆代工企业，在IGBT制造领域具有深厚经验，无论是导通压降、关断损耗还是工作安全区、可靠性等目前均达到了国际领先水平。公司拥有先进的全套IGBT薄晶圆背面加工工艺。华虹半导体量产的IGBT产品系列众多，电压涵盖600V至1700V，电流从10A到400A，产品线逐渐从民生消费类跨入工业商用、新能源汽车等领域。除了追求高压功率器件所需的更高功率密度和更低损耗，公司正在开发片上集成传感器的智能化IGBT工艺技术与更高可靠性的新型散热IGBT技术，以更好地服务全球市场对IGBT产品的增长性需求。

12英寸功率器件代工生产线，‘8英寸+12英寸’齐头并进，提供客户更广泛的差异化技术与更充足的产能。近年来，公司瞄准中高端市场与新兴领域全面进击IGBT业务，持续引入国内外一流的IGBT产品公司，涵盖工业、汽车电子与白色家电等应用领域，坐实IGBT晶圆代工的领先地位。公司12英寸IGBT技术研发进展顺利，未来将为全球客户提供更具竞争力的IGBT代工解决方案。

bq25790是5A一个到四个电池开关模式全集成降压-升压电池充电器,用于锂电池和锂聚合电池, 包括有4个开关的MOSFET(Q1,Q2,Q3和Q4),输入和充电电流检测电路,电池FET(QBAT)和降压-升压转换器所有的回路补偿.器件对充电电池在USB Type-C™和USB供电(USB-PD)应用如智能手机,平板电脑和其它手持设备的全输入电压范围内提供高功率密度和设计灵活性.该器件采用750kHz和1.5MHz可编程开关频率,具有优化的效率:3A ICHG时,2个电池的效率为96.5%(9V输入),15V输入时效率为94.5%.充电电流高达5A,分辨率为10mA,工作电压3.6V到24V, 绝对最大额定值为30V,检查USB BC1.2, SDP, CDP, DCP, HVDCP和非标准适配器,可检查USB BC1.2, SDP, CDP, DCP, HVDCP和非标准适配器. 2个电池时的充电电压调整率为±0.5%高精度,充电电流调整度为±5%,输入电流调整度为±5%,器件具有热调节和热关断特性,输入/电池OVP和OCP,转换器MOSFET OCP以及充电安全计时器.56引脚2.9x3.3mm WCSP封装. 主要用在智能手机,平板电脑和无人机,无线扬声器和数码相机,移动打印机,电子销售终端(EPOS).

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