如果输出电压等于或者低于参考值减去滞环宽度的一半(VL=1.975V)时，控制器就断开低端的MOSFET开通高端的MOSFET。这是功率级的开状态，因为它会引起输出电压的上升。如果输出电压达到或者超过参考值加上滞环宽度的一半(VH=2.025V)时，控制器就断开高端的MOSFET并开通低端的MOSFET。这是功率级的关状态，因为它会引起输出电压的下降。滞环控制的方法能保持输出电压在参考电压周围滞环宽度的范围内。当输出负载电流增大或输入电压瞬态变化而使得输出电压偏离到滞环宽度以外，控制器将连续不断地开通或关断功率MOSFET，使输出电压返回到滞环的范围内，在输出滤波允许的条件下将以最快的速度对输出电压进行矫正。

芯片组都包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET，而每个器件都经过特别设计，在同步DC-DC降压转换器电路中发挥最佳性能。控制MOSFET具有更低的开关损耗，同步MOSFET的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复电荷也很低。

芯片组包含IRF6617控制场效应管和IRF6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20A。另一款芯片组则包含IRF6637控制场效应管和IRF6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20A的应用，可有效提升热性能。

IRF6617控制场效应管采用小罐（ST）DirectFET封装，IRF6637控制场效应管则采用中罐（MP）DirectFET封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐（MX）DirectFET封装，可以轻松地将IRF6611替换为IRF6678，满足更大电流和散热性能的需求。

有助于电路设计人员缩减高频、大电流DC-DC转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统。

IR的DirectFET MOSFET封装已经获得了专利，其中汇集了一系列标准塑料分立封装不具备的设计优点。金属腔构造能发挥双面冷却功能，把用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封装的器件均不含铅和溴化物。

外部 MOSFET 的 RDS(ON) 检测负载电流的电子断路器 LTC4213，从而去除了对检测电阻的需求。这种新方法不仅降低了开关通路上的电压和功率损耗，而且降低了成本并简化了设计。这尤其有利于低电压系统，因为检测电阻电压降占去了极大部分电源电压。就超低电压应用而言，LTC4213 工作在 2.3V 至 6V 的偏置电源电压范围，并监视从地到 6V 的电压。

电子断路器提供 3 个引脚可选的 VDS 门限，分别为 25mV、50mV 和 100mV。所选择的引脚可以动态步进，从而在启动时允许更高断路器门限，并在电源电流稳定后降低门限。该断路器还通过集成快慢比较器，提供用于过流保护的双电平和双响应时间功能。这样一来，通过区分轻微过流故障或灾难性的短路状态，进一步提高了断路器的性能。

LTC4213 的精确性能使其非常适用于需要连续低压电源保护的系统。LTC4213 采用 12 引线 DFN 封装，规定工作于商用和工业温度范围，以 1,000 片为单位批量购买，每片起价为 1.50 美元。

性能概要：LTC4213

无需检测电阻

把负载电压控制在 0V 至 6V

响应时间为 1us 的快速断路器

3个可选断路器门限

双电平过流保护

用于外部 N 沟道 FET 的高端驱动

欠压闭锁

断路器待命中断时 READY 引脚发出信号

小型塑料（3mm×2mm）DFN 封装

(素材来源：21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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