示波器都具有基本的测量功能，可以帮忙用户进行快速的自动测试，如基本的幅值，频率，周期等参数。但是现在因为信号越来越复杂，很多工程师希望能实现信号自定义测试，如指定波形位置测量，测量不仅只了解参数还希望能了解多周期的变化趋势，分布等信息。

示波器可以提供更加高级的自动测量功能，支持多达36种自动测试参数。并且支持测试项目的趋势图测试和直方图显示。

TA2022FN支持Gate 选通功能，用户可以通过光标自行指定自动测试波形的区域，实现灵活测量。测试项目支持趋势图显示，可以显示频率，周期，幅值等随周期的变化，从而帮忙工程师快速，准确，灵活的进行深度分析。

支持光标测试，用户客户指定对屏幕不同波形之间在幅值和时间的相关测试。

示波器也支持很多高级分析功能，如电源分析软件、抖动及高级眼图功能测试，高速信号如以太网、USB、DDR、MIPI等一致性测试。

随着科技的进步，新技术被广泛应用，对测试仪器行业提出了新的挑战。作为最传统的测试系统示波器也必须与时俱进，为出现在嵌入式系统调试的五个阶段：测试准备，发现异常，捕获异常，搜索信号，分析信号的难题，推出高效的，有针对性的功能，轻松解决调试过程中的各种挑战，实现更快，更准，更可靠的调试。

通过集成的倍频器实现超快的短距离通信。该乘法器由一系列自混频器电路和放大级组成。自混频器使输出频率相对于输入信号加倍。下面是天线驱动器电路和单个混频器级电路的框图。

天线驱动器框图和布局，标记为“输入平衡-不平衡转换器”的部分是差分信号进入第一混频器级的地方。混频器和放大器级的电路活动部分（晶体管电路 每个模块的橙色部分）的大小相同，但是输出电感器和变压器（布局图中的绿色）在每个阶段都得到了优化他们正在处理的频率。

我们看到电感器和变压器的尺寸随着频率的增加而减小。相应的级是级联放大器，每级增益加倍。所有这些放大器都是相同的公共源伪差分级。

NMOS晶体管优化频率响，我们可以看到混频器原理图只实现了NMOS晶体管。这是因为CEA-Leti报告担心CMOS电路对D波段高频的响应能力。该混频器电路实现了两个用于差分输入的晶体管（M5和M6），以下拉方式连接到差分对NMOS晶体管（M1和M2；M3和M4）。

耦合变压器的自混级原理图和布M1和M3连接到输出变压器的一侧，而第二个连接到M2和M4。

由于M5和M6由差分信号控制，因此M1和M3在输入波的相反半个周期导通。这意味着在前半个周期中，M1闭合，M3断开，而在后半个周期中，M3闭合，M1断开。

M2和M4也相同。M1 / M3和M2 / M4的输出节点组合为一个差分信号，并且是输入频率的两倍，因为晶体管组合在不同的半周期内导通和截止。然后，混频器通过变压器耦合到下一个放大级。

该电路中的所有NMOS晶体管（混频器和放大器）均为低阈值晶体管，可优化电路的频率响应。

D波段和新颖的电路设计（例如天线电路）可以成为6G技术的良好初始框架。尽管我们对6G信号将在何处传播有所了解，但还有很长的路要走。我们仍然需要使用该频段进行远程通讯，并考虑大规模集成的挑战。

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