VI-22K-IW作为先进的特色工艺半导体代工厂，格芯® (GF®) 近日宣布其先进的FinFET解决方案12LP+已完成技术认证，准备投入生产。

12LP+是格芯推出的差异化解决方案，针对人工智能(AI)训练和推理应用进行了优化。12LP+采用已验证的平台，依托稳健的生产生态系统，为芯片设计师提供高效的开发体验，助力产品快速上市。

12LP+引入了多项新特性，包括更新后的标准单元库、用于2.5D封装的中介层、低功耗0.5V Vmin SRAM位单元等。这些特性有助于在AI处理器与存储器之间实现低延迟、低功耗数据传输，在性能、功率和面积方面的综合表现也非常出色，从而满足快速增长的AI市场的特定需求。

人工智能正成为我们一生中最具颠覆性的技术。日益明晰的是，AI系统的能效，也就是每瓦特功率可进行的运算次数，将成为公司投资数据中心或边缘AI应用时的关键考虑因素。而格芯新的12LP+解决方案就直面这一挑战，它的设计、优化均以AI为出发点。

12LP+基于格芯成熟的14nm/ 12LP平台 ，利用此平台格芯已经交付了100多万片晶圆。格芯的12LP解决方案已被多家公司用于AI加速器应用，包括 燧原科技(Enflame) 、 Tenstorrent 等公司。通过与AI客户紧密合作并借鉴学习，格芯开发出12LP+，为AI领域的设计师提供更多差异化和更高价值，同时最大限度地降低他们的开发和生产成本。

12LP+的性能提升包括SoC级逻辑性能相比12LP提升20%，逻辑区面积微缩10%。12LP+的进步得益于它的下一代标准单元库、面积优化的高性能组件、单鳍片单元、新的低电压SRAM位单元，以及改良的模拟版图设计规则。

12LP+是专业应用解决方案，结合格芯的AI设计参考包和格芯的联合开发、封装及晶圆厂后端交钥匙服务，共同构成完整体验，设计出针对AI应用优化的低功耗、高性价比电路。除了12LP的现有IP组合外，格芯还将扩展12LP+的IP验证，包括面向主机处理器的PCIe 3/4/5和USB 2/3、面向外部存储器的HBM2/2e、DDR/LPDDR4/4x和GDDR6，以及有助设计师和客户实现小芯片架构的芯片到芯片互连功能。

格芯12LP+解决方案已经通过认证，即将在纽约州马耳他的格芯8号晶圆厂投入生产。2020年下半年将安排多次12LP+投片。格芯最近宣布8号晶圆厂将贯彻美国国际武器贸易条例（ITAR）标准及出口管制条例（EAR）。这些全新的管制保证将于今年晚些时候生效，以保护8号晶圆厂生产制造的国防相关应用、设备或组件的保密性和完整性。

静电放电路径1：在后级电路引入静电等高能量的冲击，电荷释放路径1 是通过跨接初次级之间安规电容，将电荷直接通过初级电解电容释放。放电路径及设计走线。

静电放电路径2：在后级电路引入静电等高能量的冲击，电荷释放路径2 是通过高频变压器初次级耦合路径传输。放电路径及设计走线。

按企标主板整机ESD测试方案对主板进行ESD测试并对数据进行统计发现在主板ESD测试静电水平达到15000 V，会出现一定概率的放电现象，放电点经过确认是开关电源次级输出给开关芯片供电电路片状电阻R100对反馈电路片状电容C79进行瞬间放电。

(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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