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模拟电子技术的真随机数发生器

发布时间:2020/6/30 20:25:40 访问次数:4392

VM5621PLJ包括6个速度高达11.25 Mb/s的USART

3个速度高达45 Mb/s的SPI、3个I2C

2个CAN和1个SDIO

模拟:2个12位DAC

3个速度为2.4 MSPS

7.2 MSPS(交错模式)

12位ADC

定时器多达17个:

频率高达168 MHz的16

32位定时器

可以利用支持Compact Flash

SRAM、PSRAM、NOR

NAND存储器的灵活静态存储器控制器轻松扩展存储容量

基于模拟电子技术的真随机数发生器

STM32F417还整合了加密/HASH处理器

为AES 128、192、256、3DES和HASH(MD5、SHA-1)

实现了硬件加速

集成:STM32F417x系列具有512KB(仅限于WLCSP90封装)

~1MB Flash和192KB SRAM

采用尺寸小至4 x 4.2 mm

64~144引脚封装。

STM32F407/417产品系列

具有512KB~1MB Flash

192KB SRAM

采用尺寸小至10 x 10 mm

100~

176引脚封装

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 12.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 14.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.9 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 16 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 38 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 30 ns

典型接通延迟时间: 7.9 ns

单位重量: 540 mg

光探测和测距(LIDAR)系统

使用光来回飞行到物体所花费的时间

以测量到该目标的距离

TIDA-00663

参考设计展示了如何基于时间数字转换器(TDC)

以及相关的前端设计

LIDAR的时间测量后端

LIDAR脉冲飞行时间参考设计

可用于所有那些通过建立物理接触

来测量到目标距离的应用

典型的例子包括测量物流中心

传送带上物体的存在

确保移动机器人手臂周围的安全距离。


(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)

深圳市永拓丰科技有限公司http://ytf02.51dzw.com/

VM5621PLJ包括6个速度高达11.25 Mb/s的USART

3个速度高达45 Mb/s的SPI、3个I2C

2个CAN和1个SDIO

模拟:2个12位DAC

3个速度为2.4 MSPS

7.2 MSPS(交错模式)

12位ADC

定时器多达17个:

频率高达168 MHz的16

32位定时器

可以利用支持Compact Flash

SRAM、PSRAM、NOR

NAND存储器的灵活静态存储器控制器轻松扩展存储容量

基于模拟电子技术的真随机数发生器

STM32F417还整合了加密/HASH处理器

为AES 128、192、256、3DES和HASH(MD5、SHA-1)

实现了硬件加速

集成:STM32F417x系列具有512KB(仅限于WLCSP90封装)

~1MB Flash和192KB SRAM

采用尺寸小至4 x 4.2 mm

64~144引脚封装。

STM32F407/417产品系列

具有512KB~1MB Flash

192KB SRAM

采用尺寸小至10 x 10 mm

100~

176引脚封装

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 12.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 14.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.9 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 16 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 38 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 30 ns

典型接通延迟时间: 7.9 ns

单位重量: 540 mg

光探测和测距(LIDAR)系统

使用光来回飞行到物体所花费的时间

以测量到该目标的距离

TIDA-00663

参考设计展示了如何基于时间数字转换器(TDC)

以及相关的前端设计

LIDAR的时间测量后端

LIDAR脉冲飞行时间参考设计

可用于所有那些通过建立物理接触

来测量到目标距离的应用

典型的例子包括测量物流中心

传送带上物体的存在

确保移动机器人手臂周围的安全距离。


(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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