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毫米波与波束成形的本地振荡器

发布时间:2020/6/27 7:23:39 访问次数:3047

宽带毫米波合成器,具备业界高性能,并拥有针对5G与宽带无线应用进行了优化的独特功能。

旗舰产品8V97003是用于毫米波与波束成形的本地振荡器(LO),以及高速数据转换器精确参考时钟的理想之选,适合多种应用,如测试与测量、光网络及数据采集等。

为最新一代高性能毫米波通信设备开发了全新的8V97003,以确保满足客户在频率范围、相位噪声和输出功率等方面最严苛的要求。8V97003在单芯片架构的同类产品中具有一流性能,特别适合载波频率6GHz以上的新兴应用,包括无线宽带、微波回传及5G通信。

8V97003在宽频率范围(171.875 MHz至18 GHz)、超低输出相位噪声(6GHz载波 20 kHz~100 MHz积分区域达到 -60.6dBc)和高输出功率的整个频率范围内,提供了业界最佳组合。宽频率范围帮助用户可以采用单个8V97003替代多个合成器模块,从而减少解决方案的占板面积和成本。

高输出功率消除了对外部驱动器的需求,从而进一步降低复杂性和总体功耗,同时做到不影响性能。超低输出相位噪声可实现出色的系统级信噪比(SNR)和矢量幅度误差(EVM),使其成为5G及其它无线应用的绝佳选择。

作为高速数据转换器的参考时钟,8V97003通过改善SNR和无杂散动态范围(SFDR)来最大化系统性能。以上就是业界高性能宽带毫米波合成器解析。

1200 V器件的额定电流高达103 A(最大ID),而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用,安森美半导体的MOSFET可易于并联运行,因其正温系数/不受温度影响。

设计工程师要达到现代可再生能源、汽车、IT和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标,他们需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半导体的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的,包括更低的损耗,更高的工作温度,更快的开关速度,改善的EMI和更高的可靠性。安森美半导体为进一步支援工程界,还提供广泛的资源和工具,简化和加速设计流程。

超延时型熔断特性的抗脉冲表面贴装(SMD)陶瓷保险丝,特别适合在要求严苛的应用场合用作故障保护装置。

该长方形(5.3x16mm)SMD保险丝结构特别紧凑,提供从5A至20A的五种额定电流。交流和直流额定电压可达125V,分断能力最高可达1000A。此独特的SMD保险丝具有超慢熔断及精确定义的熔断特性。

SCHURTER公司的UMT-W系列保险丝特别适用于涌入电流较高的场合(如马达控制系统)。UMT-W尤其适用于电缆较长的应用场合(如,航空电子设备),此类场合通常采用电子保险丝进行保护。如果电子保险丝出现故障,或者未能正确执行熔断任务,则此时可通过UMT-W保险丝来发挥故障安全装置的作用,从而将系统转入一种安全的断电状态。由于在4xIn时最小/最大熔断时间的精确定义,所以可以在电子保险丝前端实现稳健和可选的安全理念。

COTS+UMT-W保险丝是一种“COTS+”(商用现货+)产品。“+”表示保险丝经过很长时间的合格测试(如AEC-Q200),同时制造流程经过严格控制,这些优势是SCHURTER所有客户均可以享受到的。为了实现更高的可靠性要求,我们还根据MIL-PRF 55342提供外观检查,并可根据要求提供各种类型的加检(老化)测试以及详细的测试报告。以上就是设备故障保护的UMT-W系列产品解析

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)

深圳市永拓丰科技有限公司http://ytf01.51dzw.com/


宽带毫米波合成器,具备业界高性能,并拥有针对5G与宽带无线应用进行了优化的独特功能。

旗舰产品8V97003是用于毫米波与波束成形的本地振荡器(LO),以及高速数据转换器精确参考时钟的理想之选,适合多种应用,如测试与测量、光网络及数据采集等。

为最新一代高性能毫米波通信设备开发了全新的8V97003,以确保满足客户在频率范围、相位噪声和输出功率等方面最严苛的要求。8V97003在单芯片架构的同类产品中具有一流性能,特别适合载波频率6GHz以上的新兴应用,包括无线宽带、微波回传及5G通信。

8V97003在宽频率范围(171.875 MHz至18 GHz)、超低输出相位噪声(6GHz载波 20 kHz~100 MHz积分区域达到 -60.6dBc)和高输出功率的整个频率范围内,提供了业界最佳组合。宽频率范围帮助用户可以采用单个8V97003替代多个合成器模块,从而减少解决方案的占板面积和成本。

高输出功率消除了对外部驱动器的需求,从而进一步降低复杂性和总体功耗,同时做到不影响性能。超低输出相位噪声可实现出色的系统级信噪比(SNR)和矢量幅度误差(EVM),使其成为5G及其它无线应用的绝佳选择。

作为高速数据转换器的参考时钟,8V97003通过改善SNR和无杂散动态范围(SFDR)来最大化系统性能。以上就是业界高性能宽带毫米波合成器解析。

1200 V器件的额定电流高达103 A(最大ID),而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用,安森美半导体的MOSFET可易于并联运行,因其正温系数/不受温度影响。

设计工程师要达到现代可再生能源、汽车、IT和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标,他们需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半导体的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的,包括更低的损耗,更高的工作温度,更快的开关速度,改善的EMI和更高的可靠性。安森美半导体为进一步支援工程界,还提供广泛的资源和工具,简化和加速设计流程。

超延时型熔断特性的抗脉冲表面贴装(SMD)陶瓷保险丝,特别适合在要求严苛的应用场合用作故障保护装置。

该长方形(5.3x16mm)SMD保险丝结构特别紧凑,提供从5A至20A的五种额定电流。交流和直流额定电压可达125V,分断能力最高可达1000A。此独特的SMD保险丝具有超慢熔断及精确定义的熔断特性。

SCHURTER公司的UMT-W系列保险丝特别适用于涌入电流较高的场合(如马达控制系统)。UMT-W尤其适用于电缆较长的应用场合(如,航空电子设备),此类场合通常采用电子保险丝进行保护。如果电子保险丝出现故障,或者未能正确执行熔断任务,则此时可通过UMT-W保险丝来发挥故障安全装置的作用,从而将系统转入一种安全的断电状态。由于在4xIn时最小/最大熔断时间的精确定义,所以可以在电子保险丝前端实现稳健和可选的安全理念。

COTS+UMT-W保险丝是一种“COTS+”(商用现货+)产品。“+”表示保险丝经过很长时间的合格测试(如AEC-Q200),同时制造流程经过严格控制,这些优势是SCHURTER所有客户均可以享受到的。为了实现更高的可靠性要求,我们还根据MIL-PRF 55342提供外观检查,并可根据要求提供各种类型的加检(老化)测试以及详细的测试报告。以上就是设备故障保护的UMT-W系列产品解析

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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