TM1648A功能特点：

共阴有10段×7位或13段×4位两种显示模式可选；

共阳只有7段×10位一种显示模式；

带8个电容触摸按键扫描，带自动校准功能；

外接电容调整灵敏度；

最长按键输出时间检测；

内置RC振荡；

内置数据锁存电路；

8级辉度可调；

标准I2C通信方式；

内置上电复位电路；

抗干扰能力强；

内置针对LED反偏漏电导致暗亮问题优化电路；

内置驱动有源蜂鸣器控制程序；

封装形式：SOP32；

TM1681功能特点：

LQFP48、LQFP52两种封装形式；

LQFP48——24ROW*8COM=192点阵LED模式；

LQFP52——32ROW*8COM=192和24ROW*16COM=384两种点阵LED模式可选；

64*4静态显存RAM（32ROW*8COM），96*4静态显存RAM（24ROW*16COM）；

16级辉度调节（脉宽调制控制）调整LED亮度；

四线SPI串行接口通讯；

片内256KHz RC振荡器；

工作电压2.4～5.5V；

闪烁功能，可用命令设定闪烁频率为2Hz/1Hz/0.5Hz；

可以级联；

本产品性能优良，质量可靠，P2P兼容HT1632C。

TM1681应用：

跑步机仪表、电子飞镖等健身器材仪表、工控仪器仪表等

ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

IDM：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。

VGS：最大栅源电压。

V(BR)DSS：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

RDS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

VGS(th)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

PD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

Tj：最大工作结温。通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。

功率 MOSFET 与双极型功率相比具有如下特点：

MOSFET 是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；

输入阻抗高；

工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；

有较优良的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作 Hi-Fi 音响；

功率 MOSFET 可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。

(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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