数字输出分辨率芯片规模封装
发布时间:2020/6/8 22:23:35 访问次数:1159
AS5510专为消费类应用设计,其线性磁编码器的大小、功能和性能适用于变焦及自动对焦相机系统等空间有限的闭环位置控制系统中进行非接触式线性位置传感。它可以测量一个典型横向行程0.5 - 2 mm、有1.0 mm空气间隙的简单2极磁铁的绝对位置。更加强大的磁铁可以实现更高的横向行程和空气间隙。
为将功率损耗降到最小,AS5510可以切换到25μA电流消耗的省电模式。其I2C接口使微控制器的连接更加方便快捷,无需对数字转换进行额外模拟。尽可能小的系统尺寸、精度和非接触式传感和最低的电流消耗的结合使AS5510更加适合于无线电子解决方案。
其他同类产品的尺寸较大,且仅提供模拟输出,因此需要在闭环电路中加入外部ADC。AS5510带有片上ADC和I2C接口,能够轻松接入系统微控制器,还简化了传感器编程。除此之外,AS5510的高度集成简化了系统设计的复杂性,消除了与噪声、增益和参考电压相关的问题。
AS5510线性霍尔传感器IC的工作温度为-30°C至+85°C,采用6引脚WLCSP封装,工作电压为2.5-3.6V。
功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置,有助于提升效率,同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。
在基准测试中,DIOFET 的工作温度与其它竞争解决方案相比低5%。MOSFET 结温每降低10℃,DIOFET的永久可靠性便增加一倍。较低的DIOFET器件工作温度大大提升了负载点转换器的可靠性。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
AS5510专为消费类应用设计,其线性磁编码器的大小、功能和性能适用于变焦及自动对焦相机系统等空间有限的闭环位置控制系统中进行非接触式线性位置传感。它可以测量一个典型横向行程0.5 - 2 mm、有1.0 mm空气间隙的简单2极磁铁的绝对位置。更加强大的磁铁可以实现更高的横向行程和空气间隙。
为将功率损耗降到最小,AS5510可以切换到25μA电流消耗的省电模式。其I2C接口使微控制器的连接更加方便快捷,无需对数字转换进行额外模拟。尽可能小的系统尺寸、精度和非接触式传感和最低的电流消耗的结合使AS5510更加适合于无线电子解决方案。
其他同类产品的尺寸较大,且仅提供模拟输出,因此需要在闭环电路中加入外部ADC。AS5510带有片上ADC和I2C接口,能够轻松接入系统微控制器,还简化了传感器编程。除此之外,AS5510的高度集成简化了系统设计的复杂性,消除了与噪声、增益和参考电压相关的问题。
AS5510线性霍尔传感器IC的工作温度为-30°C至+85°C,采用6引脚WLCSP封装,工作电压为2.5-3.6V。
功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置,有助于提升效率,同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。
在基准测试中,DIOFET 的工作温度与其它竞争解决方案相比低5%。MOSFET 结温每降低10℃,DIOFET的永久可靠性便增加一倍。较低的DIOFET器件工作温度大大提升了负载点转换器的可靠性。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
上一篇:频率的低通滤波器信号带宽
上一篇:肖特基二极管低反向恢复电荷