TPS63020的主要特性与优势：

高输出电流性能使电池供电设备能够以最高效率生成最大电流。例如，在典型情况下，降压模式下可生成 3.3 V 电压、3 A 电流，升压模式下则可生成 3.3 V 电压、超过 2.0 A 的电流；

动态输入电流限制可高效保护电路及系统；

节电模式可在轻负载下保持高效率；

支持单节锂离子电池、2 节、3 节碱性电池、镍镉或镍氢电池。

完整的DC/DC与电池管理产品系列

TI 提供业界最全面的升降压及降压 DC/DC 转换器产品系列，可充分满足各种便携式电源需求。2006 年，TI 推出了 TPS630xx 升降压转换器系列。除 DC/DC 转换器之外，TI 还可为便携式电子产品提供线性与开关模式电池充电器，包括适用于单节锂离子电池的最新 bq24156 开关模式电池充电器等。

功能：

零交叉失真的精度：

低失调电压：150 μV（最大值）

高CMRR：114 dB

轨到轨I / O

宽带宽：10 MHz

静态电流：650 μA / ch

单电源电压范围：2.2 V至5.5 V

低输入偏置电流：0.2 pA

低噪声：10 kHz时为9 nV /√Hz

摆率：5 V / μs

单位增益稳定

产品概述:

OPA325

是精密，

低压互补金属氧化物半导体（CMOS）

运算放大器，

针对非常低的噪声和宽带宽进行了优化，

同时仅在650 μA的低静态电流下工作。

OPAx325具有线性输入级，

具有零交叉失真，

可在整个输入范围内提供出色

共模抑制比（CMRR），

典型值为114 dB。

输入共模范围超出了负电源轨

IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。

IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术，还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性，成为一个为高频率 DC-DC 开关应用而优化的解决方案。

IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封装提供低于1 mΩ 的导通电阻，使整个负载范围可保持极高的效率。新器件配有单片集成式肖特基二极管，能够减少与体二极管传导相关的损耗，并能实现反向恢复损耗，进一步提高解决方案的整体性能。IRF6798MPbF 还提供仅为 0.25 mΩ 的极低栅极电阻，避免了与 Cdv/dt 相关的击穿。

IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具备低电荷和低导通电阻，可减少开关损耗及传导损耗，还可为快速开关提供极低的栅极电阻。

(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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