主板温度升高导致代系统故障
发布时间:2020/6/5 13:01:14 访问次数:971
XCV50E6FG256C主板温度意外升高可能导致代价高昂的系统故障。将温度传感器放置在主板上的多个位置,使工程师能够持续监测潜在的温度峰值,并指示CPU根据需要采取行动,以防止灾难性事件。新款I3C产品采用集成式温度传感器,降低整体系统成本,提高集成度。
其它功能包括:
两线可编程I2C或I3C Basic总线串行接口
主机总线上单个设备负载
单路1.8V输入电源
集成温度传感器精度为0.5°C,分辨率为0.25°C
温度范围:-40°C至125°C
数据包错误检查和奇偶校验错误检查功能
总线复位和总线清零功能
带内中断
可编程的I2C、I3C Basic总线地址
采用2mm x 3mm,耐热增强型9引脚PSON-8封装
借助全新I3C产品,瑞萨电子现可提供I3C和I2C器件的完整产品组合。
90dB 的 PSRR (1kHz 时) 和 18μA 的低静态电流让 AP7353 格外适用于电池供电装置,包括噪声敏感型模拟电路或 RF 接口。AP7353 的高 PSRR 及其 10μV 宽带噪声电压可协助支持高讯噪比。这些属性使 AP7353 成为此应用空间中的主要低压差 (LDO) 稳压器。
AP7353 的启用引脚允许 LDO 稳压器在不需要时进入待机模式。针对提升稳固性,亦包含短路和过热保护。停用 AP7353D 版本时,可提供放电输出。
KONNEKT高密度封装技术扩展其广受欢迎的KC-LINK系列来增强其电源转换解决方案,从而满足业界对快速开关宽禁带(WBG)半导体、EV/HEV、LLC谐振转换器和无线充电应用不断增长的需求。这项技术将KC-LINK坚固耐用的专有C0G贱金属电极(BME)电介质系统与KONNEKT的创新型瞬态液相烧结(TLPS)材料相结合,创建了一种表面贴装多芯片解决方案,其非常适合高密度封装和高效率的应用使用,所产生的电容高达单个多层陶瓷电容器的四倍。
采用KONNEKT的KC-LINK电容器具有高机械强度,因此无需使用引线框架即可实现安装。这种设计提供了极低的有效串联电感(ESL),从而扩大了工作频率范围并可进一步实现小型化。这个系列属于商业级产品,具有锡端子镀层,无铅,并且符合RoHS和REACH标准。采用KONNEKT技术的电容器还具有独特的能力——可以以低损耗方向安装,从而进一步提高其功率处理能力。
(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市永拓丰科技有限公司http://ytf02.51dzw.com/
XCV50E6FG256C主板温度意外升高可能导致代价高昂的系统故障。将温度传感器放置在主板上的多个位置,使工程师能够持续监测潜在的温度峰值,并指示CPU根据需要采取行动,以防止灾难性事件。新款I3C产品采用集成式温度传感器,降低整体系统成本,提高集成度。
其它功能包括:
两线可编程I2C或I3C Basic总线串行接口
主机总线上单个设备负载
单路1.8V输入电源
集成温度传感器精度为0.5°C,分辨率为0.25°C
温度范围:-40°C至125°C
数据包错误检查和奇偶校验错误检查功能
总线复位和总线清零功能
带内中断
可编程的I2C、I3C Basic总线地址
采用2mm x 3mm,耐热增强型9引脚PSON-8封装
借助全新I3C产品,瑞萨电子现可提供I3C和I2C器件的完整产品组合。
90dB 的 PSRR (1kHz 时) 和 18μA 的低静态电流让 AP7353 格外适用于电池供电装置,包括噪声敏感型模拟电路或 RF 接口。AP7353 的高 PSRR 及其 10μV 宽带噪声电压可协助支持高讯噪比。这些属性使 AP7353 成为此应用空间中的主要低压差 (LDO) 稳压器。
AP7353 的启用引脚允许 LDO 稳压器在不需要时进入待机模式。针对提升稳固性,亦包含短路和过热保护。停用 AP7353D 版本时,可提供放电输出。
KONNEKT高密度封装技术扩展其广受欢迎的KC-LINK系列来增强其电源转换解决方案,从而满足业界对快速开关宽禁带(WBG)半导体、EV/HEV、LLC谐振转换器和无线充电应用不断增长的需求。这项技术将KC-LINK坚固耐用的专有C0G贱金属电极(BME)电介质系统与KONNEKT的创新型瞬态液相烧结(TLPS)材料相结合,创建了一种表面贴装多芯片解决方案,其非常适合高密度封装和高效率的应用使用,所产生的电容高达单个多层陶瓷电容器的四倍。
采用KONNEKT的KC-LINK电容器具有高机械强度,因此无需使用引线框架即可实现安装。这种设计提供了极低的有效串联电感(ESL),从而扩大了工作频率范围并可进一步实现小型化。这个系列属于商业级产品,具有锡端子镀层,无铅,并且符合RoHS和REACH标准。采用KONNEKT技术的电容器还具有独特的能力——可以以低损耗方向安装,从而进一步提高其功率处理能力。
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