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开关及导通损耗保持最低水平电压管理功能将功率增加20至30%

发布时间:2023/5/9 21:59:17 访问次数:84

滤波器采用SMT技术,并配合性能优异的导热胶灌封而成,具有可靠性高、噪声低、功率密度高等优良特性,主要应用于航空、航天、军用电子等领域。

高可靠性滤波器WKF312803M符合《产品详细规范》的要求,严格按照筛选程序进行100%筛选,保证出厂产品的高可靠性。

WKF312803M 的更多特性与优势:

电磁兼容指标符合GJB151A-97之CE102要求

输入电压16-40V,额定电压28V

输出电压跌落小、效率高

插入损耗500KHZ时可达30dB

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com


ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件,有助减省电路板空间及元件数目,同时简化栅极驱动电路设计。SO8充分发挥了节省空间的功能,其占位面积只有31 mm2,仅为两个SOT223 MOSFET的30%。

最新双器件封装内的N与P通道MOSFET,可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷,典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ,确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。


FAN5902为3G手机及无线数据卡设计人员提供业界最小的功率管理解决方案,这款射频功率DC-DC 转换器采用具有12 凸块 (bump) 0.5mm 间距CSP 封装,工作频率为 6MHz,并使用更小尺寸 (0.5uH) 的片状电感,可节省空间和降低组件成本。这款转换器根据通过天线发送的射频功率水平,调节 3G 射频功率放大器的电压,从而在较广阔的天线功率水平范围内实现更高的能效,帮助延长3G手机通话时间多达 40 分钟。而在以数据功能为主的手机和智能手机中,尤其是在郊区和信号覆盖不良的区域,更能节省最多100 mA  的电池耗电量。这一电压管理功能可将功率增加 20 至 30%,显著延长接通时间,让 3G手机运行更多的处理器应用。FAN5902 提供高达800mA rms电流,能够支持由于极大的天线失配和50mΩ旁路FET导通电阻引起的过多的RFPA电流,并能够在2.7V低电池电压下工作。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)




滤波器采用SMT技术,并配合性能优异的导热胶灌封而成,具有可靠性高、噪声低、功率密度高等优良特性,主要应用于航空、航天、军用电子等领域。

高可靠性滤波器WKF312803M符合《产品详细规范》的要求,严格按照筛选程序进行100%筛选,保证出厂产品的高可靠性。

WKF312803M 的更多特性与优势:

电磁兼容指标符合GJB151A-97之CE102要求

输入电压16-40V,额定电压28V

输出电压跌落小、效率高

插入损耗500KHZ时可达30dB

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ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件,有助减省电路板空间及元件数目,同时简化栅极驱动电路设计。SO8充分发挥了节省空间的功能,其占位面积只有31 mm2,仅为两个SOT223 MOSFET的30%。

最新双器件封装内的N与P通道MOSFET,可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷,典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ,确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。


FAN5902为3G手机及无线数据卡设计人员提供业界最小的功率管理解决方案,这款射频功率DC-DC 转换器采用具有12 凸块 (bump) 0.5mm 间距CSP 封装,工作频率为 6MHz,并使用更小尺寸 (0.5uH) 的片状电感,可节省空间和降低组件成本。这款转换器根据通过天线发送的射频功率水平,调节 3G 射频功率放大器的电压,从而在较广阔的天线功率水平范围内实现更高的能效,帮助延长3G手机通话时间多达 40 分钟。而在以数据功能为主的手机和智能手机中,尤其是在郊区和信号覆盖不良的区域,更能节省最多100 mA  的电池耗电量。这一电压管理功能可将功率增加 20 至 30%,显著延长接通时间,让 3G手机运行更多的处理器应用。FAN5902 提供高达800mA rms电流,能够支持由于极大的天线失配和50mΩ旁路FET导通电阻引起的过多的RFPA电流,并能够在2.7V低电池电压下工作。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)




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