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开关转换器技术显著降低

发布时间:2020/6/2 13:04:36 访问次数:1246

XC90154FN是为LCD和PDP TV、服务器、游戏控制台和LED照明应用而设计的。这款谐振控制器能够简化设计,降低材料清单成本并提供先进的保护功能。

FAN7621在一个16脚SOP/DIP 封装中集成了一个高压驱动电路、一个电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和众多的保护功能。此高集成度器件可省去昂贵的外部电路如脉冲变压器,不仅节省电路板空间,还可降低总体设计成本。FAN7621内部的高压驱动电路提供了消除共模噪声的附加功能,确保实现卓越的抗噪性能,使应用该器件的系统能满足严格的EMI规范要求。为了进一步提高抗噪性能,FAN7621为设计人员提供了零电压开关 (ZVS) 技术,能够降低开关噪声并允许使用尺寸更小和成本更低的EMI滤波器。

具有强大的保护功能如过压保护 (OVP)、过流保护 (OCP)、异常过流保护 (AOCP) 和内部过温保护(TSD)。其它的解决方案需要附加组件才可获得相同水平的保护功能,这会增加设计时间和系统的总成本。

相比传统的硬开关转换器拓扑,FAN7621的ZVS 技术能够显著降低 MOSFET 和整流管的开关损耗,将效率提升达10%,对于PDP TV等应用,效率可达97%。ZVS 技术的一个附加优势是大幅减少开关噪声,相比硬开关技术,至少降低5dB。

FPGA设计解决方案在业界率先为逻辑、数字信号处理、嵌入式处理以及系统级设计提供了完全可互操作的领域专用设计流程和工具配置。 该新版本为面向多种市场和应用的基于FPGA的片上系统解决方案提供了更简单、更智能的设计方法。赛灵思公司致力于为设计人员提供目标设计平台,而ISE 设计套件 11.1版本的推出是一个重要的里程碑。

为更好地满足当前异常多元化的FPGA应用对先进FPGA设计技术的需求,赛灵思公司此次推出的ISE设计套件创新性地提供了四个针对特定领域而优化的配置版本:逻辑版本(Logic Edition)、DSP版本(DSP Edition)、嵌入式版本(Embedded Edition)和系统版本(System Edition)。 每一版本都提供了完整的FPGA设计流程,并且专门针对特定的用户群体(工程师)和特定领域的设计方法及设计环境要求进行了优化,从而使设计人员能够将更多精力集中于创建增值的、具有竞争力的差异化产品和应用。

72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器是采用65 纳米线宽的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM 器件。新型SRAM 实现了目前市场上最快的550 MHz时钟速度,在36 位I/O 宽度的QDRII+ 器件中可实现高达 80 Gbps 的总数据传输速度,而功耗仅为90 纳米SRAM 的一半。这种新型存储器非常适用于因特网核心与边缘路由器、固定与模块化以太网交换机、3G 基站和安全路由器等网络应用,而且还能提高医疗影像和军用信号处理系统的性能。产品可与 90 纳米 SRAM 引脚兼容,从而帮助网络客户提高性能、增加端口密度,而且还不必改变原有的板卡布局。

相对于 90 纳米的上一代产品,65 纳米的 QDR 和 DDR SRAM 能将输入输出电容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片内终结电阻器 (ODT),消除了外部端需接电阻的要求,因而可提高信号的完整性,降低系统成本,节约板上空间。65 纳米产品采用的是锁相环路 (PLL) 而非延迟锁相环 (DLL) 技术,其可使数据有效窗口扩展 35%。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)

深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/


XC90154FN是为LCD和PDP TV、服务器、游戏控制台和LED照明应用而设计的。这款谐振控制器能够简化设计,降低材料清单成本并提供先进的保护功能。

FAN7621在一个16脚SOP/DIP 封装中集成了一个高压驱动电路、一个电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和众多的保护功能。此高集成度器件可省去昂贵的外部电路如脉冲变压器,不仅节省电路板空间,还可降低总体设计成本。FAN7621内部的高压驱动电路提供了消除共模噪声的附加功能,确保实现卓越的抗噪性能,使应用该器件的系统能满足严格的EMI规范要求。为了进一步提高抗噪性能,FAN7621为设计人员提供了零电压开关 (ZVS) 技术,能够降低开关噪声并允许使用尺寸更小和成本更低的EMI滤波器。

具有强大的保护功能如过压保护 (OVP)、过流保护 (OCP)、异常过流保护 (AOCP) 和内部过温保护(TSD)。其它的解决方案需要附加组件才可获得相同水平的保护功能,这会增加设计时间和系统的总成本。

相比传统的硬开关转换器拓扑,FAN7621的ZVS 技术能够显著降低 MOSFET 和整流管的开关损耗,将效率提升达10%,对于PDP TV等应用,效率可达97%。ZVS 技术的一个附加优势是大幅减少开关噪声,相比硬开关技术,至少降低5dB。

FPGA设计解决方案在业界率先为逻辑、数字信号处理、嵌入式处理以及系统级设计提供了完全可互操作的领域专用设计流程和工具配置。 该新版本为面向多种市场和应用的基于FPGA的片上系统解决方案提供了更简单、更智能的设计方法。赛灵思公司致力于为设计人员提供目标设计平台,而ISE 设计套件 11.1版本的推出是一个重要的里程碑。

为更好地满足当前异常多元化的FPGA应用对先进FPGA设计技术的需求,赛灵思公司此次推出的ISE设计套件创新性地提供了四个针对特定领域而优化的配置版本:逻辑版本(Logic Edition)、DSP版本(DSP Edition)、嵌入式版本(Embedded Edition)和系统版本(System Edition)。 每一版本都提供了完整的FPGA设计流程,并且专门针对特定的用户群体(工程师)和特定领域的设计方法及设计环境要求进行了优化,从而使设计人员能够将更多精力集中于创建增值的、具有竞争力的差异化产品和应用。

72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器是采用65 纳米线宽的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM 器件。新型SRAM 实现了目前市场上最快的550 MHz时钟速度,在36 位I/O 宽度的QDRII+ 器件中可实现高达 80 Gbps 的总数据传输速度,而功耗仅为90 纳米SRAM 的一半。这种新型存储器非常适用于因特网核心与边缘路由器、固定与模块化以太网交换机、3G 基站和安全路由器等网络应用,而且还能提高医疗影像和军用信号处理系统的性能。产品可与 90 纳米 SRAM 引脚兼容,从而帮助网络客户提高性能、增加端口密度,而且还不必改变原有的板卡布局。

相对于 90 纳米的上一代产品,65 纳米的 QDR 和 DDR SRAM 能将输入输出电容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片内终结电阻器 (ODT),消除了外部端需接电阻的要求,因而可提高信号的完整性,降低系统成本,节约板上空间。65 纳米产品采用的是锁相环路 (PLL) 而非延迟锁相环 (DLL) 技术,其可使数据有效窗口扩展 35%。

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