低电压纽扣电池或超级电容器
发布时间:2020/6/1 23:26:42 访问次数:1650
低功耗MEMS振荡器和支持产品。SiTime的SiT1533是一款超小型超低功耗32.768kHz振荡器,针对移动和其他电池供电应用进行了优化。SiT1533的最大工作电流仅为1.4μA,使用推荐布局时,与现有2012 XTAL引脚和封装兼容。该器件的工厂可编程输出可降低电压摆幅,从而将功耗降至最低。1.2V-3.63VDC的工作电压使其适用于采用低电压纽扣电池或超级电容器作为备用电池的移动应用。
Microchip的DSC1001是基于MEMS的振荡器,在广泛的电源电压和温度范围内具有出色的抗抖动性和低至10ppm的稳定性。该器件的工作频率范围为1MHz至150MHz,电源电压为1.8至3.3VDC,温度为-40oC至105oC。
MEMS振荡器可在极宽的频率范围内工作。Abracon ASTMK-0.001kHz可以低至1Hz的频率运行,容差为20ppm,电流消耗为1.4μA。而IDT的 4H系列超低抖动MEMS振荡器却可以625MHz的频率运行。
高频时钟保持一致,设计人员应遵循最佳实践布局技术,例如限制走线长度、注意布线、限制过孔的使用以及使用接地层等等。
正确使用电容器还可提供以下功能:
去耦:快速开关器件(如时钟振荡器)可能会对电源产生很大的影响,导致电压下降。靠近电源放置去耦电容可以充当本地储存器,以确保始终有足够的电荷。
旁路:为了限制系统传播的噪声量,需要通过旁路电容来提供低阻抗路径,将这种瞬态能量分流到地。
降低电源噪声:在大多数应用中,电源电压和电源回路会之间接入一个0.1 μF 电容,将大部分电源噪声分流到地。为了进一步降低噪声,设计人员还可以运用RC或LC电源滤波策略。
降低EMI的方法,处理器速度的提高以及在更小空间中容纳更多设备需求的增多,使电磁兼容性(EMC) 变得日益重要。
10 kΩ 和 100 kΩ 电阻可选
电阻容差:±8%(最大值)
游标电流:±6 mA
低温度系数:35 ppm/°C
宽带宽:3 MHz
快速启动时间 < 75 μs
线性增益设置模式
单电源及双电源供电
独立逻辑电源:1.8 V 至 5.5 V
宽工作温度范围:–40°C至+125°C
应用
便携式电子设备的电平调整
LCD面板亮度和对比度控制
可编程滤波器、
延迟、
时间常数
可编程电源
低功耗MEMS振荡器和支持产品。SiTime的SiT1533是一款超小型超低功耗32.768kHz振荡器,针对移动和其他电池供电应用进行了优化。SiT1533的最大工作电流仅为1.4μA,使用推荐布局时,与现有2012 XTAL引脚和封装兼容。该器件的工厂可编程输出可降低电压摆幅,从而将功耗降至最低。1.2V-3.63VDC的工作电压使其适用于采用低电压纽扣电池或超级电容器作为备用电池的移动应用。
Microchip的DSC1001是基于MEMS的振荡器,在广泛的电源电压和温度范围内具有出色的抗抖动性和低至10ppm的稳定性。该器件的工作频率范围为1MHz至150MHz,电源电压为1.8至3.3VDC,温度为-40oC至105oC。
MEMS振荡器可在极宽的频率范围内工作。Abracon ASTMK-0.001kHz可以低至1Hz的频率运行,容差为20ppm,电流消耗为1.4μA。而IDT的 4H系列超低抖动MEMS振荡器却可以625MHz的频率运行。
高频时钟保持一致,设计人员应遵循最佳实践布局技术,例如限制走线长度、注意布线、限制过孔的使用以及使用接地层等等。
正确使用电容器还可提供以下功能:
去耦:快速开关器件(如时钟振荡器)可能会对电源产生很大的影响,导致电压下降。靠近电源放置去耦电容可以充当本地储存器,以确保始终有足够的电荷。
旁路:为了限制系统传播的噪声量,需要通过旁路电容来提供低阻抗路径,将这种瞬态能量分流到地。
降低电源噪声:在大多数应用中,电源电压和电源回路会之间接入一个0.1 μF 电容,将大部分电源噪声分流到地。为了进一步降低噪声,设计人员还可以运用RC或LC电源滤波策略。
降低EMI的方法,处理器速度的提高以及在更小空间中容纳更多设备需求的增多,使电磁兼容性(EMC) 变得日益重要。
10 kΩ 和 100 kΩ 电阻可选
电阻容差:±8%(最大值)
游标电流:±6 mA
低温度系数:35 ppm/°C
宽带宽:3 MHz
快速启动时间 < 75 μs
线性增益设置模式
单电源及双电源供电
独立逻辑电源:1.8 V 至 5.5 V
宽工作温度范围:–40°C至+125°C
应用
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LCD面板亮度和对比度控制
可编程滤波器、
延迟、
时间常数
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