制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块产品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.15 V在25 C的连续集电极电流:105 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:Econo 3封装:Tray商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:355 W工厂包装数量:10

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块产品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.15 V在25 C的连续集电极电流:105 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:Econo 3封装:Tray商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:355 W工厂包装数量:10

速率为200 MSPS的双通道11位模数转换器(ADC)，面向基站、中继器以及软件定义的无线电系统应用领域，可充分满足无线通信市场对更高带宽与灵敏度的需求。ADS62C17采用SNRBoost技术，能够以最高200 MSPS的采样率提供高达6.5 dB的增强信噪比 (SNR)，以满足高达 40 MHz 信号带宽的严苛应用要求。例如，要求使用 30 MHz 带宽的多模系统能够以140 MHz的输入频率实现 78.4 dBFS SNR与85 dBc的无杂散动态范围(SFDR)。

作为市场上唯一一款使用引脚控制的 SNRBoost 技术的 200-MSPS ADC，ADS62C17 可在 TD-SCDMA 和其他时域无线系统中同时充当接收机与数字预失真 (DPD) 反馈 ADC。与业界同类竞争解决方案相比，ADS62C17 的双重功能性可将设计复杂度与组件数减少三分之一，从而显著降低系统成本。

主要特性与优势

采用 TI SNRBoost 技术实现高达 6.5 dB 的 SNR 性能增强，从而能实现更高的灵敏度；

引脚控制的 SNRBoost 技术可实现共享接收与 DPD 反馈功能，能够最大限度地降低组件数与系统成本；

200 MSPS 的采样率时每通道仅为540mW功耗可最小化热区封装 (thermal footprint)；

包括 DAC（DAC5682Z、DAC5688）、放大器 (THS4509)、RF 组件（TRF3703、TRF3761）、数字预失真发射处理器 (GC5325) 以及数字

信号处理器 (TMS320C6727B) 等在内的完整信号链可显著加速上市进程。

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