硬件开发工具套件（HDK），以协助客户开发符合433MHz主动RFID技术国际标准ISO 18000-7的主动电子标签（RFID）及阅读器。用户可从Arira Design公司获得这款基于Web的智能传感器HDK测试版。

开发安全和资产监控无线传感器网络的公司面临诸多技术挑战，而基于Web的智能传感器HDK能够协助解决。开发人员现在可以把标准化的主动RFID与其它的无线网络和GPS功能以及增强型感应功能融为一体，以充分利用内置的MEMS运动传感器、温度传感器和光线传感器的功能。基于Web的智能传感器HDK还可以延长电池的使用寿命，缩小产品的尺寸。

基于Web的智能传感器HDK包括样品板和一个Windows应用软件，用户可以通过应用软件为新的主动RFID产品快速设置传感器和无线通信功能。该开发平台还让用户在工业、医疗和交通用ISO 18000-7 主动RFID产品中整合自主开发的硬件和固件的功能，包括新的RFID命令和数据段。

基于Web的智能传感器HDK是由位于伊利诺伊州Schaumburg的意法半导体多重市场技术能力中心与位于加州森尼韦尔的Arira Design公司联合开发，该平台基于意法半导体的STM32微控制器。

功率MOSFET晶体管，击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。

STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950V的击穿电压级别产品，此一新级别的产品特别适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。与竞争品牌的900V产品相比，意法半导体全新950V功率MOSFET的安全工作面积更大，可靠性更高。高压电源设计人员还可以使用一个 单一950V MOSFET取代双晶体管电路，从而简化电路设计，缩减尺寸，减少元器件数量。

STx7N95K3系列的额定雪崩电流高于竞争产品，这个优势可确保产品能够承受高于击穿电压的电涌，因为过高的浪涌电流会烧毁器件。新产品的额定雪崩电流为9A，而实力最接近的竞争品牌的900V产品的额定雪崩电流大约只有1A。

STx7N95K3系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。

因为达成低栅电荷量(QG)和低本征电容，这些新的MOSFET还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代SuperMESH3技术。新产品采用工业标准封装：STF7N95K3采用 TO-220FP封装；STP7N95K3采用标准的TO-220封装；STW7N95K3采用TO-247封装。

随后将推出的新产品是：950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。

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