TA7905600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。

Vishay提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术，涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新电子系统。随着SiHH068N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品，我们可在设计电源系统架构的初期满足提高能效和功率密度的要求—包括功率因数校正和硬切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH068N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术，10 V条件下典型导通电阻仅为0.059 Ω，超低栅极电荷下降到53 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低12 %。SiHH068N60E有效输出电容Co(er)和Co(tr) 分别仅为94 pf和591 pF，可改善开关性能。这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗，从而达到节能效果。

RoHS:  详细信息  

工作力: 0.35 N

启动行程: 1 mm

电流额定值: 1 mA

电压额定值 DC: 5 VDC

端接类型: Through Hole

封装: Reel

照明颜色: -  

系列: SPVS  

商标: ALPS  

照明: Non-Illuminated  

灯类型: -  

安装风格: PCB Mount  

产品类型: Detector Switches  

工厂包装数量: 5000  

子类别: Switches

制造商:Xilinx

产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列

RoHS: 详细信息

产品:Kintex-7

逻辑元件数量:406720

输入/输出端数量:500 I/O

工作电源电压:1.2 V to 3.3 V

较小工作温度:- 40 C

较大工作温度:+ 100 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:FBGA-900

数据速率:6.6 Gb/s

系列:XC7K410T

商标:Xilinx

分布式RAM:5663 kbit

内嵌式块RAM - EBR:28620 kbit

较大工作频率:640 MHz

湿度敏感性:Yes

收发器数量:16 Transceiver

产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array

工厂包装数量:1

深圳市永拓丰科技有限公司http://ytf01.51dzw.com/

(素材来源：eechina和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）