TMP87CH46N-4192封装技术SiC器件即可作为独立器件提供也可在需要大功率电平时置于功率模块中。目前的市场主流产品为独立的功率器件，不过模块的市场份额正在迅速增长。

SiC 二极管和晶体管的各种可用独立封装。UnitedSiC在不断迅速增加封装类型，为功率电路设计师提供他们所需的能满足系统约束的各种选择。几乎所有这些封装都是众所周知的行业标准封装，与硅器件配合使用且应用广泛。虽然封装的形状系数保持不变，但是内部可以添加许多增强功能，以更好地利用 SiC器件的能力。

二极管和晶体管的典型可用封装选项系列，额定功率从左到右依次递增。2A 至 200A 器件有独立外形。由于支持非常快的开关速度，源级开尔文封装会让 SiC晶体管表现突出，几乎所有的 UnitedSiC 二极管和晶体管都使用银烧结的方式将 SiC晶粒粘接到引脚框架上。在使芯片变得更薄的同时，这种方式还能帮助克服由于芯片体积变小产生的热阻难题。

器件可帮助克服部分栅极驱动问题，这些问题与快速开关和使用更成熟的 D2PAK-3L、TO220-3L 和 TO247-3L等有大型常见源级电感的封装相关。虽然传统的引脚封装是工业领域的主力产品，但是它正在让位于“开尔文源级”封装，因为这种封装支持更加清晰和快速的开关且影响很小或者没有影响。

共源共栅器件对因修改栅极电阻造成的短暂关闭的控制能力通常十分有限，尤其是在延迟时间较长并导致电路运行干扰时。为管理这一点，UnitedSiC提供了具有不同速度范围的器件，器件内部经过预先调整，以适应某个最大开关速度（UJ3C 和 UF3C 系列）。如果电路经受过渡电压过冲或电源环路振铃，则采用小RC 缓冲电路会非常有效，且能将耗损影响减到最低。UnitedSiC 网站上提供了用户指南，为用户提供了栅极驱动和缓冲电路建议，让器件更易用。

鉴于相比硅器件，SiC器件的电流密度越来越大，从顶部源级端子提取电流的封装技术也在不断进步。铝条带键合、使用铜缓冲的粗铜引线键合、使用铜夹的无接线封装等都是能够延长独立封装和功率模块中的 SiC晶体管功率循环寿命的重要新兴方法。

预计嵌入式封装能让低电感体系结构未来有更大改善空间，甚至能整合驱动器和电容，从而通过尽可能降低电感来提高快速开关效率。

许多功率模块正在纷纷涌入市场，包括 Easy-1B/2B 这样的较小模块和标准 IGBT中的较大模块，如 34mm 和 62mm 占板空间以及 Econodual 样式模块。在电动车逆变器方面，许多技术正在针对 SiC

进行优化，包括带翅片式散热器的混合封装式模块和双面冷却选项。Semikron 提出的超低电感模块，它能实现非常快的开关速度且过冲电压可控。Apex 制造的含半桥驱动器和 FET 的 SIP 模块，及其在使用 UnitedSiC 35mohm，1200V堆叠式共源共栅产品时的相应高速开关波形。

Semikron 展示的 400A，1200V 模块，其回路电感仅为 1.4nH。磁通相抵的低电感设计有助于 SiC

充分发挥开关速度的优势，可在系统层面上实现性能提高和成本降低1200V 堆叠式共源共栅器件和内置半桥驱动器的 SIP 模块，正在 40A，800V且上升和下降时间极短的条件下进行开关工作。虽然采用紧凑的高频设计，但是这种进步不仅让使用高速器件变得更简单，而且由于缩小了无源器件，系统层面获得了很大的成本优势。

SiC 器件会对电压较高的应用产生很大影响。首批位于 XHP 型占板空间中的 3300V和 6500V 模块现已发布，而 10kV 模块也即将诞生。UnitedSiC 利用超共源共栅技术这一独特方法进入此领域，它将 1700V低电阻器件串联，打造电压更高的器件，且所有器件都由位于末端的一个低压 FET 控制。已证实该方法具备很高的可扩展性，能实现 3300V – 20kV的模块，而无需高压芯片。这对高压固态断路器和实施连接到中压电网的固态变压器都非常有用。

SiC器件和封装技术还在继续快速发展，促使在许多快速发展的终端市场应用中的市场采用率不断提高。这将推动许多不同方向的新宽带隙产品开发，如用于直流转换的极高速开关器件、电动车车载充电器、服务器电源、电感损耗非常低的电动车逆变器模块。大量拥有这种改进的宽带隙器件能力的新一代系统设计目前正处于开发阶段，SiC技术必将使得市场上的整体功率性能和能效更上一层。

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