CY7C60323-PVXISiC二极管的浪涌能力要远远低于硅快速恢复二极管，很大一个原因是在浪涌条件下有很大的开态压降。对于硅而言，该压降可能只有 1-2V，而对于 SiC而言，可能达到 4-6V。由于 SiC 二极管晶粒要小得多，这种情况带来了散热挑战。制造商采用圆片减薄技术来降低开态压降，并降低热阻。TO 和 DFN封装中采用了先进的晶粒粘接方案，如银 (Ag) 烧结，从而最大程度减少热阻和阻止在浪涌条件下融化，而融化在传统结中非常常见。这种特性能在约 8-12倍额定电流下提供充足浪涌能力。

从成品和电流额定值看，UnitedSiC 有 100A，1200V 和 200A，650V两种二极管可用于功率模块中。还有多种符合 AEC-Q101 要求的银烧结（无 Pb，环保）二极管，可以用于汽车应用。

SiC 晶体管技术功率转换的 650V 高性能 FET 的占市场主流的主要器件结构，氮化镓 (GaN)

HEMT（高电子迁移率晶体管）是其中唯一的两个源级端子都在晶片上表面的横向器件。硅基超结器件运用电荷平衡原理，其中，相等的 N柱和 P柱掺杂质使得总净电荷基本为零，因而可以快速消耗电压支持，即使为了降低电阻而对 N 柱进行大量掺杂也是如此。单位面积采用的 N 柱有所增加，从而帮助将导通电阻降低到了传统无电荷平衡的硅限制的近十分之一。硅基超结技术的年销售额超过 10亿美元，单位面积导通电阻 (RdsA)值低至 8mΩ-cm2，处于行业前沿，而其他技术的单位面积导通电阻 (RdsA)

值为 12-18mΩ-cm2。GaN HEMT 现在的开关行为非常出色，它的 RdsA 目前处于3-6mΩ-cm2 范围内。这些横向器件构建在硅衬底上，该衬底比 SiC 衬底便宜很多，但是目前的 GaN 器件仍比 Si器件贵很多。现在还有 650V 的 SiC 沟槽式和平面式 MOSFET，其 RdsA 范围为2-4mΩ-cm2。UnitedSiC 第 2 代沟槽式 JFET (UJC06505K) 的 RdsA 值达到了0.75mΩ-cm2。这意味着 SiC JFET 晶粒体积可以达到硅晶粒的七分之一至十分之一，甚至可以远远小于 GaN 或 SiCMOSFET 结构。

制造商:STMicroelectronics

产品种类:8位微控制器 -MCU

RoHS: 详细信息

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LQFP-48

系列:STM8L052C6

核心:STM8

数据总线宽度:8 bit

最大时钟频率:16 MHz

程序存储器大小:32 kB

数据 RAM 大小:2 kB

ADC分辨率:12 bit

输入/输出端数量:41 I/O

工作电源电压:1.8 V to 3.6 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

程序存储器类型:Flash

商标:STMicroelectronics

数据 Ram 类型:RAM

数据 ROM 大小:256 kB

数据 Rom 类型:EEPROM

接口类型:I2C, SPI, USART

湿度敏感性:Yes

ADC通道数量:25 Channel

计时器/计数器数量:4 Timer

处理器系列:STM8L052C6

产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU

工厂包装数量:1500

子类别:Microcontrollers - MCU

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:1.8 V

单位重量:181.700 mg

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