自动电源管理控制器NMOS输出晶体管
发布时间:2020/4/16 17:48:08 访问次数:356
NJM082功能名称:双路J-FET输入运算放大器
NJM072B/082B和NJM072/082是双路JFET输入运算放大器。其特点为低输入偏置和失调电流、高输入阻抗和高摆率。并且保证了低谐波失真和低噪声。最适用于通信,测量等高保真产业和音响等广泛领域中。
特征
工作电压 (±4V到±18V)
J-FET输入
高输入阻抗 (一般为1012Ω)
低输入偏置电流 (一般为30pA)
高摆率 (一般为13V/μs,20V/μs)
宽带 (一般为3MHz,5MHz)
封装 (DIP8,DMP8,SIP8)
双极技术

微功率霍尔效应开关系列APS11700/760,这些产品专为环境恶劣的工业和汽车市场中电池供电应用而设计,在直接由汽车电池或其他未经调节的电源供电时,这些IC的自动电源管理能够使平均电源电流低至6μA。新产品的电源管理在后台进行,对主机系统透明,可以用来直接升级现有的霍尔效应开关,或替代机械微型开关及磁簧开关(reed switches)等。
APS11700/760具有独特的可靠性和超低功耗,能够可靠地替换干簧管或者微型开关,乃至直接使用电池供电地功耗敏感应用。
单片器件集成有标准霍尔板或垂直霍尔元件、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器、自动电源管理控制器以及一个NMOS输出晶体管。APS11700采用的是标准平面型霍尔效应感测元件,APS11760则采用基于硅的垂直霍尔效应感测元件AVHT技术,因而对平行于IC封装面的磁通量更加敏感,平面灵敏度与常用的磁簧开关不相上下。

产品:
Switching Diodes
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOD-80
峰值反向电压:
100 V
最大浪涌电流:
2 A
If - 正向电流:
300 mA
配置:
Single
恢复时间:
8 ns
Vf - 正向电压:
1 V
Ir - 反向电流 :
5 uA
最小工作温度:
- 65 C
最大工作温度:
+ 175 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.6 mm
长度:
3.7 mm
端接类型:
SMD/SMT
类型:
Switching Diode
宽度:
1.6 mm
商标:
Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散:
0.5 W

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源:eechina和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
NJM082功能名称:双路J-FET输入运算放大器
NJM072B/082B和NJM072/082是双路JFET输入运算放大器。其特点为低输入偏置和失调电流、高输入阻抗和高摆率。并且保证了低谐波失真和低噪声。最适用于通信,测量等高保真产业和音响等广泛领域中。
特征
工作电压 (±4V到±18V)
J-FET输入
高输入阻抗 (一般为1012Ω)
低输入偏置电流 (一般为30pA)
高摆率 (一般为13V/μs,20V/μs)
宽带 (一般为3MHz,5MHz)
封装 (DIP8,DMP8,SIP8)
双极技术

微功率霍尔效应开关系列APS11700/760,这些产品专为环境恶劣的工业和汽车市场中电池供电应用而设计,在直接由汽车电池或其他未经调节的电源供电时,这些IC的自动电源管理能够使平均电源电流低至6μA。新产品的电源管理在后台进行,对主机系统透明,可以用来直接升级现有的霍尔效应开关,或替代机械微型开关及磁簧开关(reed switches)等。
APS11700/760具有独特的可靠性和超低功耗,能够可靠地替换干簧管或者微型开关,乃至直接使用电池供电地功耗敏感应用。
单片器件集成有标准霍尔板或垂直霍尔元件、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器、自动电源管理控制器以及一个NMOS输出晶体管。APS11700采用的是标准平面型霍尔效应感测元件,APS11760则采用基于硅的垂直霍尔效应感测元件AVHT技术,因而对平行于IC封装面的磁通量更加敏感,平面灵敏度与常用的磁簧开关不相上下。

产品:
Switching Diodes
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOD-80
峰值反向电压:
100 V
最大浪涌电流:
2 A
If - 正向电流:
300 mA
配置:
Single
恢复时间:
8 ns
Vf - 正向电压:
1 V
Ir - 反向电流 :
5 uA
最小工作温度:
- 65 C
最大工作温度:
+ 175 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.6 mm
长度:
3.7 mm
端接类型:
SMD/SMT
类型:
Switching Diode
宽度:
1.6 mm
商标:
Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散:
0.5 W

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