先进的6nm EUV工艺。多层极紫外(EUV)光刻技术加持，工艺光源波长缩短到13.5nm，接近X射线的精度带来了极高的光刻分辨率，使芯片的成本、性能和功耗达到了更好的平衡。相比上一代7nm，6nm EUV晶体管密度提高了18%，这将使芯片单位面积内集成更多的晶体管，芯片功耗降低8%，可提供更长的续航时间。

全球首款全场景覆盖增强5G调制解调器。支持5G NR TDD+FDD载波聚合，以及上下行解耦技术，可提升超过100%的覆盖范围。基于紫光展锐创新的5G超级发射技术，可为小区近点提升60%上传速率，解决了增强VR、4K/8K超高清视频直播等业务需要更大上行带宽的痛点。支持 Sub-6GHz 频段和NSA/SA双模组网，支持2G至5G七模全网通，在SA模式下，下行峰值速率超过3.25Gbps。虎贲T7520还支持领先的双卡双5G以及EPS Fall back、VoNR高清语音视频通话。

MT41K256M16TW-107:P

厂牌

MICRON/美光

IC 类别

DDR3L SDRAM

IC代码

256MX16 DDR3L

共通IC编号

产品详情

脚位/封装

FBGA-96(8*14mm)

外包装

TRAY

无铅/环保

无铅/环保

电压(伏)

1.35v

温度规格

0°C~+85°C

速度

1866(MT/S)

标准包装数量

1368

标准外箱

潜在应用

MOTHERBOARD MANU./主機板製造商

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

Number Of Words

256M

Bit Organization

x16

Density

4G

Version

T

Product Family

DDR3 SDRAM

Die Revision

P

Max Clock Frequency

933 MHz

Production Status

Production

检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外，除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外，还有UVLO[3]检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性，能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

应用：

IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)

交流电机和直流无刷电机控制

工业逆变器与不间断电源(UPS)

光伏(PV)电源调节系统

(素材来源：ttic和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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