SG250HX影响DRAM性能的另一个重要因素是器件的寄生电容。DRAM开发期间应进行交流(AC)分析，因为位线耦合会导致写恢复时间(tWR)延迟，并产生其他性能故障。由于掺杂的多晶硅不仅用于晶体管栅极，还用于位线接触和存储节点接触，这会导致多个潜在的寄生电容产生，必须对整个器件进行电容测量。SEMulator3D内置AC分析功能，可测量复杂的模拟3D结构的寄生电容值。通过模拟将交流小信号施加到字线WL2，SEMulator3D可以获取全新设计的DRAM结构中字线WL2与其它所有节点之间的电容值。

STM32F1系列属于中低端的32位ARM微控制器，其内核是Cortex-M3。该系列芯片按片内Flash的大小可分为三大类：小容量（16K和32K）、中容量（64K和128K）、大容量（256K、384K和512K）。在实际的产品应用过程中如果出现内置ram出现不足的情况下，选择外扩RAM是大部分工程师的首选，当然这款MCU是支持外扩内存的，外扩的存储器可选择SDRAM ,FLASH,SRAM芯片等，SDRAM及FLASH的外扩相对来说较为简单，如果想外扩SRAM芯片的话，目前主流的方式是通过并口接口来外扩SRAM芯片的，但是并口SRAM芯片占用了过多的I/O口，对于管脚有限的产品应用设计提出了考虑使用用SPI接口或者QPI接口外扩SOP-8封装的SRAM芯片，可以起到节省管脚的作用，从而实现SRAM芯片的扩展。VTI7064存储器可以实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。速度在20MHz~200MHz之间,选择功耗更低的SPI SRAM,更有利在设计产品上做到功耗的减少， 成本上也要比6晶体的SRAM有优势得多,容量一般在 16Mb,32Mb,64Mb。

输出配置：

正

输出类型：

固定

稳压器数：

1

电压 - 输入（最大值）：

18V

电压 - 输出（最小值/固定）：

1.8V

压降（最大值）：

1.4V @ 1A

电流 - 输出：

1A

电流 - 静态（Iq)：

10mA

PSRR：

60dB（180Hz）

保护功能：

过流，超温

工作温度：

0°C ~ 125°C

安装类型：

表面贴装

封装/外壳：

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装：

TO-252-3

无铅情况/RoHs：

无铅/符合RoHs

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