开关速度和工作频率的不断提高
发布时间:2020/4/1 12:51:44 访问次数:769
XC61CN2802MRN中高压逆变器应用门极驱动器技术领域，其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求，并具有先进的安全和保护特性。
新器件将SCALE-iDriver的控制和安全特性与其高速FluxLink™通信技术的完美结合，与使用光耦器或电容性耦合器或磁性耦合器相比，Power Integrations为门极驱动器IC技术带来了革命性变化。这种组合极大地提高了绝缘能力，并且使用极少的外部器件即可实现安全可靠、高性价比的300kW以下逆变器设计。
碳化硅MOSFET技术打开了通向更轻便小巧的汽车逆变器系统的大门。开关速度和工作频率不断提高；我们的低门极电阻值可用来维持高开关效率，而我们的快速短路响应可在发生故障时为系统提供及时保护。
SCALE-iDriver在绝缘强度方面为功能安全树立了新标准；即使功率器件导致了严重的驱动器故障，SCALE-iDriver的绝缘性能仍然完好无损，从而确保机箱的任何部分都不会有威胁生命的高压存在。
新的单通道SIC118xKQ门极驱动器可提供高达8A的输出电流，并且适合标准门极-发射极电压最低为+15V，负电压范围介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有较强的外部磁场抗扰性能，采用紧凑的eSOP封装，可提供≥9.5mm的爬电距离和电气间隙，并且所采用的材料达到了最高CTI级（根据IEC 60112标准，CTI = 600）。
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
XC61CN2802MRN中高压逆变器应用门极驱动器技术领域，其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求，并具有先进的安全和保护特性。
新器件将SCALE-iDriver的控制和安全特性与其高速FluxLink™通信技术的完美结合，与使用光耦器或电容性耦合器或磁性耦合器相比，Power Integrations为门极驱动器IC技术带来了革命性变化。这种组合极大地提高了绝缘能力，并且使用极少的外部器件即可实现安全可靠、高性价比的300kW以下逆变器设计。
碳化硅MOSFET技术打开了通向更轻便小巧的汽车逆变器系统的大门。开关速度和工作频率不断提高；我们的低门极电阻值可用来维持高开关效率，而我们的快速短路响应可在发生故障时为系统提供及时保护。
SCALE-iDriver在绝缘强度方面为功能安全树立了新标准；即使功率器件导致了严重的驱动器故障，SCALE-iDriver的绝缘性能仍然完好无损，从而确保机箱的任何部分都不会有威胁生命的高压存在。
新的单通道SIC118xKQ门极驱动器可提供高达8A的输出电流，并且适合标准门极-发射极电压最低为+15V，负电压范围介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有较强的外部磁场抗扰性能，采用紧凑的eSOP封装，可提供≥9.5mm的爬电距离和电气间隙，并且所采用的材料达到了最高CTI级（根据IEC 60112标准，CTI = 600）。
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