电压波动和抑制电压闪变
发布时间:2020/4/1 8:37:46 访问次数:2870
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PTVS13VS1UTR,115
描述
TVS DIODE 13V 21.5V CFP3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 21.5V-Clamp-18.6A-Ipp-Tvs-Diode-表面贴装-CFP3
类型 齐纳
单向通道 1
电压 - 反向关态（典型值） 13V
电压 - 击穿（最小值） 14.4V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp 21.5V
电流 - 峰值脉冲（10/1000μs） 18.6A
功率 - 峰值脉冲 400W
电源线路保护 无
应用 汽车级
不同频率时的电容 -
工作温度 -55°C ~ 185°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOD-123W
供应商器件封装 CFP3
LC-RX Ⅰ型滤波补偿装置是采用微电脑动态滤波补偿控制器， 主回路采用高性能接触器投切滤波支路的控制方式，自动投切。设备具有技术先进、功能完备、可靠性高、操作简单、维护量小、经久耐用等特点。调谐滤波支路采用电脑模拟设计，针对用户实际情况分析计算，就地进行滤波补偿，改善用户的功率因数及谐波状况，实现节能提高用户经济效益。装置能在外部故障或停电时自动退出工作，送电后自动恢复运行。
主要特点
针对用户系统专门设计制造，按需消除特性谐波，如5次、7次11次等，滤波补偿效果明显。
设备投入，受电功率因数提高到0.95以上，使配电网的线损降低、配电变压器的承载效率增加。
采用高性能接触器及综合保护控制系统投切各滤波支路，使设备操作简单安全可靠。
快速检测系统情况，根据系统要求（谐波情况、无功情况）自动或手动投切，实时滤波补偿无功。
保护功能齐全，具有短路保护、过压保护、过流保护等，运行可靠性高。
改善冲击负载引起的电流冲击，减少电压波动和抑制电压闪变，提高电压稳定性，改善电压质量。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PTVS13VS1UTR,115
描述
TVS DIODE 13V 21.5V CFP3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 21.5V-Clamp-18.6A-Ipp-Tvs-Diode-表面贴装-CFP3
类型 齐纳
单向通道 1
电压 - 反向关态（典型值） 13V
电压 - 击穿（最小值） 14.4V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp 21.5V
电流 - 峰值脉冲（10/1000μs） 18.6A
功率 - 峰值脉冲 400W
电源线路保护 无
应用 汽车级
不同频率时的电容 -
工作温度 -55°C ~ 185°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOD-123W
供应商器件封装 CFP3
LC-RX Ⅰ型滤波补偿装置是采用微电脑动态滤波补偿控制器， 主回路采用高性能接触器投切滤波支路的控制方式，自动投切。设备具有技术先进、功能完备、可靠性高、操作简单、维护量小、经久耐用等特点。调谐滤波支路采用电脑模拟设计，针对用户实际情况分析计算，就地进行滤波补偿，改善用户的功率因数及谐波状况，实现节能提高用户经济效益。装置能在外部故障或停电时自动退出工作，送电后自动恢复运行。
主要特点
针对用户系统专门设计制造，按需消除特性谐波，如5次、7次11次等，滤波补偿效果明显。
设备投入，受电功率因数提高到0.95以上，使配电网的线损降低、配电变压器的承载效率增加。
采用高性能接触器及综合保护控制系统投切各滤波支路，使设备操作简单安全可靠。
快速检测系统情况，根据系统要求（谐波情况、无功情况）自动或手动投切，实时滤波补偿无功。
保护功能齐全，具有短路保护、过压保护、过流保护等，运行可靠性高。
改善冲击负载引起的电流冲击，减少电压波动和抑制电压闪变，提高电压稳定性，改善电压质量。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
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公网安备44030402000607
