嵌入式光流处理器可以计算运动矢量

发布时间:2020/3/31 20:54:05 访问次数:2765

UPD74HC244G片上FPU可消除执行定点算术运算时对溢出处理的需求，并有助于提高软件代码可读性。

支持2.7V至5.5V的宽电源电压；5V工作电压的支持可大幅提升抗噪性能。

包含用于逆变器控制的MTU3计时器模块。定时器计数器时钟与CPU运行时的高速时钟同频率运行，易于生成逆变器控制所需的具有死区时间的互补PWM输出。

专用通道的采样和保持功能（用于三个通道）允许同时采样三相电流值，从而无需进行纠错并减轻软件负担。

RX13T产品组的关键特性：

RXv1 CPU内核，32 MHz工作频率，性能高达98.56 CoreMark。

具备128KB或64KB片上代码闪存、12KB片上SRAM、4KB片上数据闪存，无需外部EEPROM。

丰富的片上外围功能，如三通道PGA、三通道比较器和高速片上谐振器（HOCO，精度为±1.0％），以减少外围元件需求。

支持工作温度范围，-40℃ 至85℃和-40℃至105℃。满足工业及消费电子领域日益增长的对高温环境运行的需求。

传感器是640 x 600像素的VD55G0和1500万像素（1124 x 1364）的VD56G3。芯片尺寸分别为2.6mm x 2.5mm和3.6mm x 4.3mm，相对于分辨率，VD55G0和VD56G3的尺寸是市场上最小的。在所有波长，特别是近红外光照条件下，像素间串扰较低，确保对比度高，图像清晰度出色。VD56G3的嵌入式光流处理器可以计算运动矢量，而无需使用主处理器。新传感器适合各种应用，包括增强现实和虚拟现实（AR / VR）、同时定位和建图（SLAM）以及3D扫描。

其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET---TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。”–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET---TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品，产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。

采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善。新产品可提供业界最低功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。