离散信号经过滤波器的时延
发布时间:2020/3/30 20:21:22 访问次数:2760
W25Q256FVEIM品牌：Winbond封装：WSON-8标准包装：6300包装：管件封装/规格：WSON-8 6*8温度范围：-40℃~85℃系列：W25Q256FV系列格式-存储器：Flash存储类型：SpiFlash®存储容量：256MBit 32MByte速度：104MHZ接口：SPI串行电源电压：2.7v~3.6v
微波滤波器的设计指标主要包括:
绝对衰减(Absoluteattenuation):阻带中最大衰减(dB)。
带宽(Bandwidth):通带的3dB带宽(flow-fhigh)。
中心频率:fc或f0。http://wydkj.51dzw.com/
截止频率。下降沿3dB点频率。
每倍频程衰减(dB/Octave):离开截止频率一个倍频程衰减(dB)。
微分时延(differentialdelay):两特定频率点群时延之差以ns计。
群时延(Groupdelay):任何离散信号经过滤波器的时延(ns)。
插入损耗(insertionloss):当滤波器与设计要求的负载连接，通带中心衰减，dB。
带内波纹(passbandripple):在通带内幅度波动，以dB计。
相移(phaseshift):当信号经过滤波器引起的相移。
品质因数Q(qualityfactor):中心频率与3dB带宽之比。
止带(stopband或rejectband):对于低通、高通、带通滤波器，指衰减到指定点(如60dB点)的带宽。
晶体管的自身噪声由下列四部分组成。
闪烁噪声，其功率谱密度随频率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪声或低频噪声。频率很低时这种噪声较大，频率较高时(几百赫以上)这种噪声可以忽略。
基极电阻rb'b的热噪声和。
散粒噪声，这两种噪声的功率谱密度基本上与频率无关。
分配噪声，其强度与f的平方成正比，当f高于晶体管的截止频率时,这种噪声急剧增加。图1是晶体管噪声系数F随频率变化的曲线。对于低频，特别是超低频低噪声放大器,应选用1/f噪声小的晶体管;对于中、高频放大，则应尽量选用高的晶体管，使其工作频率范围位于噪声系数-频率曲线的平坦部分。
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源：analog.如涉版权请联系删除。特别感谢）W25Q256FVEIM品牌：Winbond封装：WSON-8标准包装：6300包装：管件封装/规格：WSON-8 6*8温度范围：-40℃~85℃系列：W25Q256FV系列格式-存储器：Flash存储类型：SpiFlash®存储容量：256MBit 32MByte速度：104MHZ接口：SPI串行电源电压：2.7v~3.6v
微波滤波器的设计指标主要包括:
绝对衰减(Absoluteattenuation):阻带中最大衰减(dB)。
带宽(Bandwidth):通带的3dB带宽(flow-fhigh)。
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截止频率。下降沿3dB点频率。
每倍频程衰减(dB/Octave):离开截止频率一个倍频程衰减(dB)。
微分时延(differentialdelay):两特定频率点群时延之差以ns计。
群时延(Groupdelay):任何离散信号经过滤波器的时延(ns)。
插入损耗(insertionloss):当滤波器与设计要求的负载连接，通带中心衰减，dB。
带内波纹(passbandripple):在通带内幅度波动，以dB计。
相移(phaseshift):当信号经过滤波器引起的相移。
品质因数Q(qualityfactor):中心频率与3dB带宽之比。
止带(stopband或rejectband):对于低通、高通、带通滤波器，指衰减到指定点(如60dB点)的带宽。
晶体管的自身噪声由下列四部分组成。
闪烁噪声，其功率谱密度随频率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪声或低频噪声。频率很低时这种噪声较大，频率较高时(几百赫以上)这种噪声可以忽略。
基极电阻rb'b的热噪声和。
散粒噪声，这两种噪声的功率谱密度基本上与频率无关。
分配噪声，其强度与f的平方成正比，当f高于晶体管的截止频率时,这种噪声急剧增加。图1是晶体管噪声系数F随频率变化的曲线。对于低频，特别是超低频低噪声放大器,应选用1/f噪声小的晶体管;对于中、高频放大，则应尽量选用高的晶体管，使其工作频率范围位于噪声系数-频率曲线的平坦部分。
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