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连续集电极电流稳压器采用降压

发布时间:2020/3/24 8:59:51 访问次数:1447

UPD74HC4040CMaxim Integrated MAX17270/MAX17271三路输出开关稳压器非常适合用于需要在非常小的空间内高效调节多个电源的可穿戴应用。这些稳压器采用降压-升压架构,可通过一个电感值低至2.2μH的电感器调节三路输出,效率高达85%。这样,与使用一个降压和线性稳压器的等效电源解决方案相比,可实现更小的电路板空间和更高的整体系统效率。只有一路输出时,这些器件的电源电流为0.85μA,每增加一路输出,电流增加0.2μA。MAX17270具有3个使能输入和3个输出电压编程输入。

TMAX17271包括一个带中断的I2C接口、一个开启/关闭按钮和一个电源良好指示灯。

MAX17272/MAX17273是MAX17270/MAX17271的2路输出版本,即将推出。

所有版本均采用4x4、0.4mm晶圆级封装 (WLP) 或16引脚TQFN封装。FEATURES三路输出/双路输出、单电感多输出 (SIMO) 降压-升压稳压器

功耗低、电池使用寿命长 工作电流为1.3μA(3个SIMO通道) 330nA关断电流 3.3V输出时的效率为85%

灵活且易于配置

I2C兼容接口 (MAX17271/MAX17273) 可编程输出电压:0.8V至5.175V 可编程峰值电流限制2.7V到5.5V输入电压范围

坚固耐用

软启动 过载保护 散热保护

小尺寸

1.77mm x 1.77mm x 0.50mm、0.4mm间距WLP封装 3mm x 3mm x 0.75mm TQFN封装 较小的整体解决方案尺寸应用蓝牙耳机 健身手环 手表

                                 

Nexperia PSMNxxx n通道mosfts包括标准和逻辑级、规则和增强模式、LFPAK、I2PAK、to -220中的n通道mosfts,以及150°C或175°C合格的DFN3333-8包。这些Nexperia PSMNxxx n通道mosfet是专为广泛应用于工业、通信和家用设备而设计的。LFPAK封装中的Nexperia逻辑级增强模式N-Channel mosfts具有超低QG、QGD和QOSS的特点,在低负载和高负载下,它们可以提高系统效率,并且具有超低RDS(on)和低寄生电感。他们还优化了4.5V门驱动器利用NextPower超结技术。I2PAK和to -220封装中的Nexperia标准和逻辑级n通道mosfts由于开关损耗和传导损耗低,效率高,适用于标准或逻辑级栅极驱动源。

特性

开关损耗低,传导损耗小,效率高

适用于标准或逻辑级闸门驱动源

应用

DC-to-DC转换器

锂电池保护

负荷开关

权力和ing

服务器电源

同步整流

电机控制

产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:110 A

                

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:否商标:Infineon Technologies产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.1 V在25 C的连续集电极电流:300 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:62 mm栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工厂包装数量:10

   

深圳市金嘉锐电子有限公司http://xczykj.51dzw.com/

(素材来源:eccn和21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢)

UPD74HC4040CMaxim Integrated MAX17270/MAX17271三路输出开关稳压器非常适合用于需要在非常小的空间内高效调节多个电源的可穿戴应用。这些稳压器采用降压-升压架构,可通过一个电感值低至2.2μH的电感器调节三路输出,效率高达85%。这样,与使用一个降压和线性稳压器的等效电源解决方案相比,可实现更小的电路板空间和更高的整体系统效率。只有一路输出时,这些器件的电源电流为0.85μA,每增加一路输出,电流增加0.2μA。MAX17270具有3个使能输入和3个输出电压编程输入。

TMAX17271包括一个带中断的I2C接口、一个开启/关闭按钮和一个电源良好指示灯。

MAX17272/MAX17273是MAX17270/MAX17271的2路输出版本,即将推出。

所有版本均采用4x4、0.4mm晶圆级封装 (WLP) 或16引脚TQFN封装。FEATURES三路输出/双路输出、单电感多输出 (SIMO) 降压-升压稳压器

功耗低、电池使用寿命长 工作电流为1.3μA(3个SIMO通道) 330nA关断电流 3.3V输出时的效率为85%

灵活且易于配置

I2C兼容接口 (MAX17271/MAX17273) 可编程输出电压:0.8V至5.175V 可编程峰值电流限制2.7V到5.5V输入电压范围

坚固耐用

软启动 过载保护 散热保护

小尺寸

1.77mm x 1.77mm x 0.50mm、0.4mm间距WLP封装 3mm x 3mm x 0.75mm TQFN封装 较小的整体解决方案尺寸应用蓝牙耳机 健身手环 手表

                                 

Nexperia PSMNxxx n通道mosfts包括标准和逻辑级、规则和增强模式、LFPAK、I2PAK、to -220中的n通道mosfts,以及150°C或175°C合格的DFN3333-8包。这些Nexperia PSMNxxx n通道mosfet是专为广泛应用于工业、通信和家用设备而设计的。LFPAK封装中的Nexperia逻辑级增强模式N-Channel mosfts具有超低QG、QGD和QOSS的特点,在低负载和高负载下,它们可以提高系统效率,并且具有超低RDS(on)和低寄生电感。他们还优化了4.5V门驱动器利用NextPower超结技术。I2PAK和to -220封装中的Nexperia标准和逻辑级n通道mosfts由于开关损耗和传导损耗低,效率高,适用于标准或逻辑级栅极驱动源。

特性

开关损耗低,传导损耗小,效率高

适用于标准或逻辑级闸门驱动源

应用

DC-to-DC转换器

锂电池保护

负荷开关

权力和ing

服务器电源

同步整流

电机控制

产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:110 A

                

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:否商标:Infineon Technologies产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.1 V在25 C的连续集电极电流:300 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:62 mm栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工厂包装数量:10

   

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