优化的补偿和快速开关频率
发布时间:2020/3/23 19:29:10 访问次数:969
SUM90P10-19L-E3制造商:Vishay / Siliconix
产品描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:217 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:375 W
瑞萨ISL91301B PMIC提供了一个高效、占板面积小的电源解决方案,是尖端、低功耗边缘AI处理器的理想选择。ISL91301B具有四路降压调节器输出,每路输出电流高达4A(共16A),峰值效率94%。该PMIC利用瑞萨R5调制技术实现快速单周期瞬态响应、优化的补偿和快速开关频率,加上仅70mm2的解决方案尺寸,可帮助电源设计人员采用2mm x 2mm x 1mm扁平电感、小型电容器和最少的无源元件更容易的设计小型AI解决方案。ISL91301B的低静态电流、卓越的轻载效率、高直流精度和快速动态特性都非常适合低功耗或电池供电的AI产品。
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SUM
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:80 S
下降时间:870 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:510 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:145 ns
典型接通延迟时间:20 ns
单位重量:1.438 g
深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
SUM90P10-19L-E3制造商:Vishay / Siliconix
产品描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:217 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:375 W
瑞萨ISL91301B PMIC提供了一个高效、占板面积小的电源解决方案,是尖端、低功耗边缘AI处理器的理想选择。ISL91301B具有四路降压调节器输出,每路输出电流高达4A(共16A),峰值效率94%。该PMIC利用瑞萨R5调制技术实现快速单周期瞬态响应、优化的补偿和快速开关频率,加上仅70mm2的解决方案尺寸,可帮助电源设计人员采用2mm x 2mm x 1mm扁平电感、小型电容器和最少的无源元件更容易的设计小型AI解决方案。ISL91301B的低静态电流、卓越的轻载效率、高直流精度和快速动态特性都非常适合低功耗或电池供电的AI产品。
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SUM
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:80 S
下降时间:870 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:510 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:145 ns
典型接通延迟时间:20 ns
单位重量:1.438 g
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