RM100DZ-2HMOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的缩写），金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管），同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。

传导损耗、开关损耗，因元器件结构的缘故，MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时（ON状态时），受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时（开关动作时）产生的损耗。

在大功率（高电压×大电流）范围中，与Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“开关损耗和传导损耗*3小”、“抗温度变化能力强”等优点。得益于这些优点，当SiC MOSFET用于电动汽车的车载充电器和DC/DC转换器等产品中时，可降低功率转换时的损耗并实现散热部件的小型化，高频工作还可实现线圈小型化，从而有助于提高应用的效率、减少部件数量并缩减安装面积。

交换机和路由的带宽密度，不会影响到与 QSFP-DD、QSFP56 和 QSFP28 模块的向下兼容，因而可以为网络运营商带来商业和运营上的巨大优势。QSFP-DD800 MSA将继续作为孵化器来与 QSFP-DD MSA 开展协作，包含在 QSFP-DD 规范中。

QSFP-DD800多源协议 (MSA) 组织发布其第一版QSFP-DD800收发器硬件规范。MSA组织自成立起便致力于推动高速率、双密度的QSFP模块发展以支持800Gbps的连接。博通(Broadcom)、思科(Cisco)、II-VI高意、英特尔、瞻博网络 (Juniper Networks)、Marvell、莫仕 (Molex)和Samtec等公司皆是该组织成员。QSFP-DD800 1.0 规范旨在作为现有的 QSFP-DD 5.0 规范的额外补充。由于信号密度和热性能上的要求依然十分重要，收发器焊盘经过优化后可以提高每通道100 Gbps性能的信号完整性，而不会影响向下兼容性。新规范还定义了一种新型的 2x1 连接器/保持架，其中有线的上端口可作为一个选项来解决与传统的印刷电路板有关的信号丢失问题。新版规范还额外定一个新的2x1连接器/笼，其对应线缆端口可以作为一个解决传统PCB导致信号丢失问题的选择。QSFP-DD800 的发起者将继续开发新型连接器/笼的其他产品，包括在每通道 100 Gbps 速度下运行的 2x1 SMT 版本。

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