TPSD157K010R0085三个半桥式栅极驱动，电流容量为600mA（灌电流和拉电流），能够驱动功率MOSFETs。由于集成的互锁功能，不能同时打开同一半桥的高、低侧开关。

器件内部的3.3V DC/DC降压转换器可为MCU和外部元件供电，而其内部的LDO线性稳压器则可为栅极驱动器供电。

集成运算放大器可用于信号调节，采样电阻上的信号反馈。

集成可编程阈值的比较器可实现过电流保护功能。

更宽的工作电压范围，6.7 V 至 45 V三相栅极驱动器600 mA sink/sourceIntegrated bootstrap diodesCross-conduction prevention32 位 ARM® Cortex®-M0 内核：Up to 48 MHz clock frequency4-kByte SRAM with HW parity32-kByte Flash memory with option bytes used for write/readout protectionAvailability FW bootloader3.3V DC/DC 降压转换器稳压器，具有过流、短路和热保护功能12 V LDO 线性稳压器，热保护功能16个通用 I/O 端口 （GPIO）5个通用定时器12 位模拟数字转换器（ADC）（多达 9 个通道）I2C、USART和SPI 接口3个轨至轨运算放大器，信号调节用于过流保护的比较器，可编程阈值可置于待机模式，以减少功耗每个电源上的 UVLO （欠压锁定）保护：VM, VDD, VREG and VBOOTx通过 SWD 支持片上调试功能更宽的温度范围：-40°C 至 +125°C

低散发性低电阻电解液，通过优化内部规格大幅抑制了产品ESR的经时退化。

采用低散发性低电阻电解液,在高温环境下容易散发，散发一定数量后产品特性显著退化。“UCH”通过采用低散发性电解液，实现了长时间稳定的产品特性。此通过电解液的低电阻化，力争降低ESR值。

优化内部结构,改变现有的设计思想优化内部结构，为强化产品特性做贡献。通过“UCH”的产品阵容，能为应对整机的车载环境和省电、长寿命化做贡献。尺寸体系为Φ6.3×7.7L尺寸，额定电压范围为35V，额定电容范围为47μF、100μF。此外，尼吉康推动环保型的产品开发，“UCV”及“UCH”都已符合RoHS指令。

                 

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