新型存储器的存取速度
发布时间:2020/3/17 23:12:12 访问次数:647
T494D475K050AT晶元光电芯片用于模块的显示器 ，没有边框，尺寸，纵横比或分辨率的限制。三星电子的 Micro LED 显示屏制造技术重点是巨量转移和修复技术，这是 Micro LED 商业化的主要挑战。三星还考虑采用激光转移技术来改善转移过程。
作为一种自发光显示技术 ，与目前的电视技术相比，Micro LED 具有一系列优势，包括 QLED 的高亮度和宽色域覆盖范围以及 OLED 的深邃黑色和鲜明的对比度，并且还不会出现烧屏风险。此外，功耗低、模块化设计也是 Micro LED 的特别优势。
Micro LED 电视的制造难度超出普通消费者的承受范围，其成为主流显示技术的重要原因。零部件供应链的多样化，成本将生产能力的提高和工艺水平的提升而逐步降低。为三星 75、88、93 和 110 英寸 Micro LED 电视产品线提供巨大助力。
三星的 Micro LED 技术发展很可能会刺激显示器制造商。目前正在使用 100μm 左右的 Mini LED 技术，专注于 120 英寸以上的产品。在 LCD 和 OLED 所占比例很大的电视市场中，Micro LED 产品在短期内不太可能增长。
数字修调技术，应用于精密运算放大器之中。低压工作时，未修调芯片的失调电压约为1.932 mV，高压工作时，未修调芯片的失调电压约为-2.402 mV；修调后，低压工作时，失调电压约为34.88 μV，高压工作时，失调电压约为88.74 μV。将数字修调电路应用到运放之中能将运放的失调电压减小到μV级别，极大地提升了运放的性能。由于修调电路直接嵌入到芯片内部，运放输入与修调输入公用同一个引脚，这节省了一定的引脚资源，在一定程度上缩小了封装体积，实现小型化，降低了使用成本。CMOS运算放大器失调电压消除设计,采用最新失调误差修整技术的DigiTrim精密放大器.
新型存储器具有更快的存取速度，更好的耐用性，更小的裸片尺寸、成本和功耗等性能优势。例如，以统合式 MRAM 解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省90%的功耗。3D Xpoint和3D NAND整合在单一模块当中，作为HDD硬盘、3D NAND与DRAM内存之间的一个新的层级。容量是DDR4内存的10倍，断电也不丢失数据，将增加存储系统的整体性能。将DRAM、NAND Flash和傲腾技术相结合，在缓存和DRAM之间，DRAM存储之间插入第三层，填补内存层级上的空白，使存储结构间的过渡更加平滑，对于提高系统性能非常有利。基于3D XPoint技术的超高速SSD硬盘X100。为数不多的DRAM、NAND和3D XPoint解决方案垂直整合.
深圳市创芯联盈电子有限公司http://cxly.51dzw.com/
(素材来源：21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
T494D475K050AT晶元光电芯片用于模块的显示器 ，没有边框，尺寸，纵横比或分辨率的限制。三星电子的 Micro LED 显示屏制造技术重点是巨量转移和修复技术，这是 Micro LED 商业化的主要挑战。三星还考虑采用激光转移技术来改善转移过程。
作为一种自发光显示技术 ，与目前的电视技术相比，Micro LED 具有一系列优势，包括 QLED 的高亮度和宽色域覆盖范围以及 OLED 的深邃黑色和鲜明的对比度，并且还不会出现烧屏风险。此外，功耗低、模块化设计也是 Micro LED 的特别优势。
Micro LED 电视的制造难度超出普通消费者的承受范围，其成为主流显示技术的重要原因。零部件供应链的多样化，成本将生产能力的提高和工艺水平的提升而逐步降低。为三星 75、88、93 和 110 英寸 Micro LED 电视产品线提供巨大助力。
三星的 Micro LED 技术发展很可能会刺激显示器制造商。目前正在使用 100μm 左右的 Mini LED 技术，专注于 120 英寸以上的产品。在 LCD 和 OLED 所占比例很大的电视市场中，Micro LED 产品在短期内不太可能增长。
数字修调技术，应用于精密运算放大器之中。低压工作时，未修调芯片的失调电压约为1.932 mV，高压工作时，未修调芯片的失调电压约为-2.402 mV；修调后，低压工作时，失调电压约为34.88 μV，高压工作时，失调电压约为88.74 μV。将数字修调电路应用到运放之中能将运放的失调电压减小到μV级别，极大地提升了运放的性能。由于修调电路直接嵌入到芯片内部，运放输入与修调输入公用同一个引脚，这节省了一定的引脚资源，在一定程度上缩小了封装体积，实现小型化，降低了使用成本。CMOS运算放大器失调电压消除设计,采用最新失调误差修整技术的DigiTrim精密放大器.
新型存储器具有更快的存取速度，更好的耐用性，更小的裸片尺寸、成本和功耗等性能优势。例如，以统合式 MRAM 解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省90%的功耗。3D Xpoint和3D NAND整合在单一模块当中，作为HDD硬盘、3D NAND与DRAM内存之间的一个新的层级。容量是DDR4内存的10倍，断电也不丢失数据，将增加存储系统的整体性能。将DRAM、NAND Flash和傲腾技术相结合，在缓存和DRAM之间，DRAM存储之间插入第三层，填补内存层级上的空白，使存储结构间的过渡更加平滑，对于提高系统性能非常有利。基于3D XPoint技术的超高速SSD硬盘X100。为数不多的DRAM、NAND和3D XPoint解决方案垂直整合.
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