MK41H68N-35 集磁磁芯或屏蔽罩能耗特性
发布时间:2020/3/14 19:05:51 访问次数:3070
MK41H68N-35新型超紧凑型TSSOP8封装电流传感器可为200A以上的应用提供精确的电流测量，而无需使用集磁磁芯或屏蔽罩.ACS37612消除了磁芯，因而电动汽车制造商可以减小逆变器的体积和重量，提高电动汽车的能量效率。非介入式（non-invasive）、非接触式电流传感器旨在提高分流解决方案的热效率，降低48V电动平台系统能耗.ACS37612既可用于汇流条设计，也可用于PCB走线电流设计；结合无磁芯设计特性，可以提供非常小巧轻便的电流感测解决方案。Allegro在提供可靠、基于霍尔效应的电流传感器方面，能够满足汽车行业客户不断变化的需求。
N9021B MXA X 系列信号分析仪的功能特性：
频率范围为 10 Hz - 50 GHz，可以满足 5G NR FR1 和 FR2 的技术指标要求
分析带宽扩展到 510 MHz，无杂散动态范围（SFDR）超过 72 dB，可以探测到更难以发现的信号
卓越的射频性能，单边带（SSB）相位噪声为 -129 dBc/Hz（1 GHz载波频率，10 kHz 频偏），可实现更出色的 EVM 测量（5G NR EVM 小于 1%）
全频段实时频谱分析（RTSA）能力可捕获偶发或瞬态信号,能够执行快速、精确的信号和频谱测量，从而显著提高 5G 产品的生产吞吐量和良率，同时最大程度降低其生产成本.
ISO7741E-Q1具有行业领先的1.5-kVRMS工作电压，支持高达150°C的0级更高温度限值。新型隔离器使工程师能够更好地保护低压电路免受混合电动汽车（HEV）和电动汽车（EV）系统中高压事件的影响，并无需在冷却系统中进行设计，以将温度降低到125°C（1级合规集成电路（IC）支持的温度）以下。
ANX7580具有一个4通道DisplayPort 1.4输入和一个用于单个面板的4 MIPI通道，可连接到嵌入式和离散图形处理单元（GPU），以及翻盖式显示应用中使用的MIPI显示器。
这些应用受益于以下ANX7580的主要优势：
支持DisplayPort和嵌入式DisplayPort（eDP）；
支持ARM，x86和其他计算架构；
高带宽数字内容保护（HDCP）支持，例如视频内容保护和Hi-Fi音频；
小尺寸（4×4 mm2）和低功耗（<150mW）架构;
深圳市创芯联盈电子有限公司http://cxly.51dzw.com/
(素材来源：21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MK41H68N-35新型超紧凑型TSSOP8封装电流传感器可为200A以上的应用提供精确的电流测量，而无需使用集磁磁芯或屏蔽罩.ACS37612消除了磁芯，因而电动汽车制造商可以减小逆变器的体积和重量，提高电动汽车的能量效率。非介入式（non-invasive）、非接触式电流传感器旨在提高分流解决方案的热效率，降低48V电动平台系统能耗.ACS37612既可用于汇流条设计，也可用于PCB走线电流设计；结合无磁芯设计特性，可以提供非常小巧轻便的电流感测解决方案。Allegro在提供可靠、基于霍尔效应的电流传感器方面，能够满足汽车行业客户不断变化的需求。
N9021B MXA X 系列信号分析仪的功能特性：
频率范围为 10 Hz - 50 GHz，可以满足 5G NR FR1 和 FR2 的技术指标要求
分析带宽扩展到 510 MHz，无杂散动态范围（SFDR）超过 72 dB，可以探测到更难以发现的信号
卓越的射频性能，单边带（SSB）相位噪声为 -129 dBc/Hz（1 GHz载波频率，10 kHz 频偏），可实现更出色的 EVM 测量（5G NR EVM 小于 1%）
全频段实时频谱分析（RTSA）能力可捕获偶发或瞬态信号,能够执行快速、精确的信号和频谱测量，从而显著提高 5G 产品的生产吞吐量和良率，同时最大程度降低其生产成本.
ISO7741E-Q1具有行业领先的1.5-kVRMS工作电压，支持高达150°C的0级更高温度限值。新型隔离器使工程师能够更好地保护低压电路免受混合电动汽车（HEV）和电动汽车（EV）系统中高压事件的影响，并无需在冷却系统中进行设计，以将温度降低到125°C（1级合规集成电路（IC）支持的温度）以下。
ANX7580具有一个4通道DisplayPort 1.4输入和一个用于单个面板的4 MIPI通道，可连接到嵌入式和离散图形处理单元（GPU），以及翻盖式显示应用中使用的MIPI显示器。
这些应用受益于以下ANX7580的主要优势：
支持DisplayPort和嵌入式DisplayPort（eDP）；
支持ARM，x86和其他计算架构；
高带宽数字内容保护（HDCP）支持，例如视频内容保护和Hi-Fi音频；
小尺寸（4×4 mm2）和低功耗（<150mW）架构;
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