TPIC6A595NE 器件电容和更低的门极电荷

发布时间:2020/3/11 19:32:56 访问次数:2522

TPIC6A595NE单灯型LED前照灯简化了功能，切换高/低光束使用。

型号BD95601MUV-LBE2STATUS

推荐品封装 VQFN020V4040

包装数量2500

最小独立包装数量 2500

包装形态TAPING

ROHS YES

特性：

GradeIndustrialCH1集成FET/控制器控制器Buck/Boost/Buck Boost/InvertingBuck同步/非同步同步同步Vin1（最小值）[V]4.5Vin1（最大值）[V]25.0Vout1（最小值）[V]0.75Vout1（最大值）[V]2.0SW频率（最大值）[MHz]0.5轻载模式YesYesGoodYesOperating Temperature（最小值）[°C]-10工作温度（最大值）[°C]85

特点：

可调轻载和可选择的连续模式

多功能保护电路

热关机（TSD）

欠压锁定（UVLO）

过电流保护（OCP）

过电压保护（OVP）

短路保护（SCP）

可调软启动

输出功率良好

200kHz至500kHz开关频率

这种情况下，使用约15W-30W的升压（Boost）转换器，代表性的电路构成如下所示。

输出电压由LED的串并联数决定，大约为20-30V。升压电路时，与降压电路相比，开关损耗较大，难以实现高频化。目前主要是200-400KHz。

器件电容和更低的门极电荷-Qg(低至220 nC)，从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低电磁干扰(EMI)，并可使用更少(或更小)的无源器件。极强固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性，减少器件导通时产生的静态损耗。

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