XC2S200E-6FG456C DR磁芯低损耗材料抑制磁芯的发热
发布时间:2020/3/11 19:28:05 访问次数:1907
XC2S200E-6FG456C单灯型LED前照灯简化了功能，切换高/低光束使用。
这种情况下，使用约15W-30W的升压（Boost）转换器，代表性的电路构成如下所示。
输出电压由LED的串并联数决定，大约为20-30V。升压电路时，与降压电路相比，开关损耗较大，难以实现高频化。目前主要是200-400KHz。
罗姆的开关稳压器（DC/DC转换器）系列产品，阵容丰富且应用广泛。从FET内置型（降压型/升压型/升降压型）、FET外置型（降压型/升压型/升降压型）、单通道型到系统电源型产品，皆有提供。
电感范围：4.7μH-47μH.根据工作频率，可以使用SPM和CLF。中Isat 额定电流但是是高纹波(最高到Isat的70-75%)
电感范围：47μH-100μH。由于电感水平高，SPM可以覆盖最高到100μH，但必须检查RDC。
SEPIC电路实例中，使用2个电感器(L1、L2)和直流切断用电容器(C1)。输出以与一般升降压转换器相同的方式进行控制，通过以下公式求得。虽然以往的升降压转换器（电路B）输入和输出的极性相反，而SEPIC电路是相同的极性。基本关系式如下所示，输出电压与电容器(C1)的输入电压相同。在L1和L2施加的电压(VL1、VL2)相同，可以替换为圈数1:1的联结双线圈（电路C）。采用双线圈时，施加在磁芯上的负担是1个时的两倍，并且需要磁芯损耗小、直流重叠大的电感器。B82477D*系列适合TDK的电感器产品。DR磁芯使用低损耗材料，抑制磁芯的发热。
两个碳化硅(SiC) MOSFET系列，扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。
1200伏(V)和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极管具有低反向恢复电荷，显著降低损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。
小芯片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的1200 V器件的额定电流高达103 A(最大ID)，而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可易于并联运行，因其正温系数/不受温度影响。
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源：21IC和eepw.如涉版权请联系删除。特别感谢）
XC2S200E-6FG456C单灯型LED前照灯简化了功能，切换高/低光束使用。
这种情况下，使用约15W-30W的升压（Boost）转换器，代表性的电路构成如下所示。
输出电压由LED的串并联数决定，大约为20-30V。升压电路时，与降压电路相比，开关损耗较大，难以实现高频化。目前主要是200-400KHz。
罗姆的开关稳压器（DC/DC转换器）系列产品，阵容丰富且应用广泛。从FET内置型（降压型/升压型/升降压型）、FET外置型（降压型/升压型/升降压型）、单通道型到系统电源型产品，皆有提供。
电感范围：4.7μH-47μH.根据工作频率，可以使用SPM和CLF。中Isat 额定电流但是是高纹波(最高到Isat的70-75%)
电感范围：47μH-100μH。由于电感水平高，SPM可以覆盖最高到100μH，但必须检查RDC。
SEPIC电路实例中，使用2个电感器(L1、L2)和直流切断用电容器(C1)。输出以与一般升降压转换器相同的方式进行控制，通过以下公式求得。虽然以往的升降压转换器（电路B）输入和输出的极性相反，而SEPIC电路是相同的极性。基本关系式如下所示，输出电压与电容器(C1)的输入电压相同。在L1和L2施加的电压(VL1、VL2)相同，可以替换为圈数1:1的联结双线圈（电路C）。采用双线圈时，施加在磁芯上的负担是1个时的两倍，并且需要磁芯损耗小、直流重叠大的电感器。B82477D*系列适合TDK的电感器产品。DR磁芯使用低损耗材料，抑制磁芯的发热。
两个碳化硅(SiC) MOSFET系列，扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。
1200伏(V)和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极管具有低反向恢复电荷，显著降低损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。
小芯片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的1200 V器件的额定电流高达103 A(最大ID)，而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可易于并联运行，因其正温系数/不受温度影响。
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