NCP562SQ18T1 谐振频率调整的无芯片中心频率
发布时间:2020/3/7 21:34:45 访问次数:984
NCP562SQ18T1充分利用分裂环半径、内环角度、外环角度这3个调节参数，可设计无芯片标签频率调整方法如下：
调节分裂环半径，将标签谐振频率调整到合适的中心频率。为方便设计和标准化，根据上节设置内外环半径，中心频率可在5.15 GHz、4.86 GHz和4.4 GHz 3个中选择。
调节外环角度，将标签谐振频率调整到合适的基频位置，实现大范围的粗调。
调节内环半径，在基频的基础上加入频率偏移，实现精细调整。
无芯片标签包括主环和副环，主环外环半径为2.5 mm，工作于中心频率4.86 GHz;副环外环半径为1.8 mm，工作于中心频率5.15 GHz。以a0~a15表示位数由低至高的16 bit编码。通过仿真测试，综合考虑编码容量和频率分辨率.
电阻R1、 R5、R7和R12与NMOS管深N阱相连接，用于给深N阱加偏压;栅极电阻R3、R6、R9和R11用来提高隔离度;R2、R4、R8和R10接晶体管体端，用于体端悬浮。
在0.1-1.2GHz频段范围内，开关的插入损耗(S21)为-0.7dB左 右，且平坦度良好，输入、输出回波损耗(S11和S22)小于-20dB;从图7中可以看出，在整个频段内射频开关的隔离度(S13)均大于37dB,具 有良好的隔离特性。由于采用全对称结构，该射频开关在发射状态下的S参数测试结果与接收状态下相比基本相同。图8所示的为该收发开关在433MHz及 900MHz频率下的输出功率曲线及1dB压缩点。测试结果表明，两个频率的输出功率曲线1dB压缩点分别为23.1dBm和22.7dBm,且功率压缩特性基本一致。
高精度定位，定位精度0.3~1米
实时定位系统，无延迟（100毫秒以内）
支持2D，提供X,Y坐标（3D定位研发中）
布置规划简单,客户CAD地图通过规划软件进行布置
提供精确的各类信息方便统计和分析
安装方便，支持PoE供电
二次开发容易，提供获取定位数据的API
支持不同终端定位，如标签，手机等
与其他设备的联动，自动寻找和无缝跟踪目标，如摄像头联动等
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源：rfidworld和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
NCP562SQ18T1充分利用分裂环半径、内环角度、外环角度这3个调节参数，可设计无芯片标签频率调整方法如下：
调节分裂环半径，将标签谐振频率调整到合适的中心频率。为方便设计和标准化，根据上节设置内外环半径，中心频率可在5.15 GHz、4.86 GHz和4.4 GHz 3个中选择。
调节外环角度，将标签谐振频率调整到合适的基频位置，实现大范围的粗调。
调节内环半径，在基频的基础上加入频率偏移，实现精细调整。
无芯片标签包括主环和副环，主环外环半径为2.5 mm，工作于中心频率4.86 GHz;副环外环半径为1.8 mm，工作于中心频率5.15 GHz。以a0~a15表示位数由低至高的16 bit编码。通过仿真测试，综合考虑编码容量和频率分辨率.
电阻R1、 R5、R7和R12与NMOS管深N阱相连接，用于给深N阱加偏压;栅极电阻R3、R6、R9和R11用来提高隔离度;R2、R4、R8和R10接晶体管体端，用于体端悬浮。
在0.1-1.2GHz频段范围内，开关的插入损耗(S21)为-0.7dB左 右，且平坦度良好，输入、输出回波损耗(S11和S22)小于-20dB;从图7中可以看出，在整个频段内射频开关的隔离度(S13)均大于37dB,具 有良好的隔离特性。由于采用全对称结构，该射频开关在发射状态下的S参数测试结果与接收状态下相比基本相同。图8所示的为该收发开关在433MHz及 900MHz频率下的输出功率曲线及1dB压缩点。测试结果表明，两个频率的输出功率曲线1dB压缩点分别为23.1dBm和22.7dBm,且功率压缩特性基本一致。
高精度定位，定位精度0.3~1米
实时定位系统，无延迟（100毫秒以内）
支持2D，提供X,Y坐标（3D定位研发中）
布置规划简单,客户CAD地图通过规划软件进行布置
提供精确的各类信息方便统计和分析
安装方便，支持PoE供电
二次开发容易，提供获取定位数据的API
支持不同终端定位，如标签，手机等
与其他设备的联动，自动寻找和无缝跟踪目标，如摄像头联动等
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源：rfidworld和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
公网安备44030402000607
