X28C256J-35 功放器兼容数据传输速率

发布时间:2020/2/27 12:17:35 访问次数:2404

X28C256J-35对自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片,长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障，规格方面单颗容量8Gb(1GB)，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA两种封装样式。第一颗国产的DDR4内存芯片,芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。

CoolPAM W-CDMA产品都能在3.2-4.2 V的电压范围内工作，并与当前的低耗电量电路设计相兼容。它采用50欧姆输入和输出的匹配网络，集成简便，并配有控制引脚，可以设置操作参数，在以低输出功率操作时实现最高的效率。新型功放器提供了业内最低的平均工作电流。所有型号都兼容HSDPA，一种基于分组的数据服务，提供了高达10 Mb/s的数据传输速率，在5 MHz带宽上为MIMO (多入多出) 系统提供了高达20 Mb/s的数据传输速率。

CoolPAM W-CDMA产品为采用了4 mm x 4 mm x 1.4mm的10针表面封装的模块，保证了更高的热导率，最大限度地减少了温度上升，提高了可靠性。

硅（Si）元器件,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET，与以往封装相比，可降低开关损耗，因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。

ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V／1200V耐压的低损耗SiC MOSFET，未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案，为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。