SUCS1R52412由于DRAM的存储单元结构简单,其集成度远高于SRAM,最大容量已达1Gbit,时钟最高工作频率达250 MHz。所以同等容量情况下,DRAM更廉价。

目前,DDR SDRAM已成为个人电脑的主流内存。其改进型DDR ⅡSDRAM将很可能成为下一个主流内存。表7.2.3所示为几种DRAM产品。

表7.2.3 几种DRAM产品,存储容量的扩展

目前,尽管各种容量的存储器产品已经很丰富,且最大容量已达1Gbit以上,用户能够比较方便地选择所需要的芯片。但是,只用单个芯片不能满足存储容量要求的情况仍然存在。个人电脑中的内存条就是一个典型的例子,它由焊在一块印制电路板上的多个芯片组成。此时,便涉及存储容量的扩展问题。扩展存储容量的方法可以通过增加字长(位数)或字数来实现。

字长(位数)的扩展,通常RAM芯片的字长为1位、4位、8位、16位和32位等。当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时,需要对RAM实行位扩展。

位扩展可以利用芯片的并联方式实现,即将RAM的地址线、读/写控制线和片选信号对应地并联在一起,而各个芯片的数据输人/输出端作为字的各个位线。如图7.2.10所示,用4个4K×4位RAM芯片可以扩展成4K×16位的存储系统,字数的扩展.

字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选使能输人端来实现。例如,利用2线一4线译码器74139将4个8K×8位的RAM芯片扩展为32K×8位的存储器系统。扩展方式如图7,2,11所示,图中,存储器扩展所要增加的地址线我4、A与译码器的74139的输人相连,译码器的输出y1~y3分别接至4片RAM的片选信号控制端CE。这样,当输入一个地址码(代4~14)时,只有一片RAM被选中,从而实现了字的扩展位数和字数的扩展来构成。

DRAM中存储的数据如果不进行周期性的刷新,其数据将会丢失;而SRAM中存储的数据无需刷新,只要电源不断电就可以永久保存,为什么?

一般情况下,DRAM的集成度比SRAM的集成度高,为什么?

sSRAM与异步SRAM的主要差别是什么?它有什么优点?

sSRAM中丛发模式读写操作的特点是什么?

用容量为16K×1位存储器芯片构成-一个32K×8位的存储系统,需要多少根地址线?多少根数据线?多少个16K×1位的存储器芯片?

CPLD珀勺结构与简单PLD(PAL、GAL等)相比,CPLD的集成度更高。CPLD具有更多的输入信号、更多的乘积项和更多的宏单元。尽管各厂商生产的CPLD器件结构.

系In system Programmabmy的缩写。

存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列,复杂可编程逻辑器件,前面有关章节已介绍了可编程逻辑器件PAL和GAL,它们都属于简单的PLD。

随着微电子技术的发展和应用上的需求,简单PLD在集成度和性能方面难以满足要求,因此集成度更高、功能更强的复杂可编程器件(CPLD)便迅速发展起来。

早期的CPLD大多采用EPROM编程技术,其编程过程与简单PLD一样,每次编程需要在专用或通用设各上进行。后来采用E2PROM和闪烁存储器技术,使CPLD具有了“在系统可编程(ISP①)”特性。所谓在系统可编程是指未编程的ISP器件可以直接焊接在印制电路板上,然后通过计算机的数据传输端口和专用的编程电缆对焊接在电路板上的ISP器件直接多次编程,从而使器件具有所需要的逻辑功能。这种编程不需要使用专用的编程器,因为已将原来属于编程器的编程电路和升压电路集成在ISP器件内部。ISP技术使得调试过程不需要反复拔插芯片,从而不会产生引脚弯曲变形现象,提高了可靠性,而且可以随时对焊接在电路板上的ISP器件的逻辑功能进行修改,从而加快了数字系统的调试过程。目前,ISP已成为系统在线远程升级的技术手段。

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