FL9110 BJT反相器的动态性能
发布时间:2020/2/9 15:34:10 访问次数:1290
FL9110影响CMOS电路开关速度的主要因素是什么?
CMOs反相器的传输特性曲线说明什么问题?两个管子的工作状态如何变化?
漏极开路门和三态门的特点是什么,它们各用于什么场合?
漏极开路门的上拉电阻如何确定?它对开关速度有无影响?
为什么NMOs门电路多是以或非门作为基本门电路?
BJT的开关特性,BJT的开关作用,由BJT构成的开关电路如图3.2.1(a)所示,图中BJT为NPN型硅管。当输入为低电平时,例如VT=yIL=0Ⅴ时,BJT的发射结为零偏(vE=0),集电结为图3.2.1 BJT的开关工作状态,(a)电路 (b)工作状态图解.
当输人为高电平时,例如BN=yIH=5Ⅴ时,调节Rb,使IC=ycc/Rc,则BJT工作在图3.2.1(b)中的B点,集电极电流|c已达到最大值yc
电压过程中,需要建立基区电荷以形成饱和电流。将roff=rs+rf称为关闭时间,它反映了BJT从饱和簿截止所需的时间,即是基区存储电荷消散所需要的时间。BJT这种滞后现象也可以利用发射结和集电结的结电容储能效应进行分析。开通时问和关闭时间总称为BJT的开关时间,它随管子类型不同而有很大差别,一般在几十至几百纳秒之间,可以从手册中查到。
BJT的开关时间限制了BJT开关运用的速度。开关时间越短,开关速度越高。因此,要设法减小开关时间,可以通过。改进管子内部构造和外电路的方法来提高BJT的开关速度。对管子内部,可减小基区宽度和发射结、集电结的面积, 图3.2.2 BJT开关电路的波形使开关时间缩短。对外电路来说,可适 (a)输人电压波形(b)输出电流波形当选择正向基极电流和反向基极电流以, (c)输出电压波形及临界饱和电流等,也可以改善动态特性,提高开关速度。
基本BJT反相器的动态性能,在上一节中,图3.2.1(a)所示电路的输出电压与输入电压相位相反,因而可以作为基本的BJT反相器。由于BJT管子基区内电荷的存入和消散需要一定的时间,因此开关速度受到限制。影响开关速度的另一个原因是,当基本反相器接电容性负载CL(电路如图3.2.3所示),当反相器输出电压vo由低向高过渡时,电路由ycc通过Re对CL充电。反之,当p。由高向低过渡时,C1,又将通过BJT放电。这样,CL的充、放电过程均需经历一定的时间,这必然会增加输出电压v波形的上升时间和下降时间,导致基本的BJT反相器的开关速度不 图3.2.3带电容性负载的高。寻求更为实用的反相器电路结构,是下面所 要讨论的问题。
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
FL9110影响CMOS电路开关速度的主要因素是什么?
CMOs反相器的传输特性曲线说明什么问题?两个管子的工作状态如何变化?
漏极开路门和三态门的特点是什么,它们各用于什么场合?
漏极开路门的上拉电阻如何确定?它对开关速度有无影响?
为什么NMOs门电路多是以或非门作为基本门电路?
BJT的开关特性,BJT的开关作用,由BJT构成的开关电路如图3.2.1(a)所示,图中BJT为NPN型硅管。当输入为低电平时,例如VT=yIL=0Ⅴ时,BJT的发射结为零偏(vE=0),集电结为图3.2.1 BJT的开关工作状态,(a)电路 (b)工作状态图解.
当输人为高电平时,例如BN=yIH=5Ⅴ时,调节Rb,使IC=ycc/Rc,则BJT工作在图3.2.1(b)中的B点,集电极电流|c已达到最大值yc
电压过程中,需要建立基区电荷以形成饱和电流。将roff=rs+rf称为关闭时间,它反映了BJT从饱和簿截止所需的时间,即是基区存储电荷消散所需要的时间。BJT这种滞后现象也可以利用发射结和集电结的结电容储能效应进行分析。开通时问和关闭时间总称为BJT的开关时间,它随管子类型不同而有很大差别,一般在几十至几百纳秒之间,可以从手册中查到。
BJT的开关时间限制了BJT开关运用的速度。开关时间越短,开关速度越高。因此,要设法减小开关时间,可以通过。改进管子内部构造和外电路的方法来提高BJT的开关速度。对管子内部,可减小基区宽度和发射结、集电结的面积, 图3.2.2 BJT开关电路的波形使开关时间缩短。对外电路来说,可适 (a)输人电压波形(b)输出电流波形当选择正向基极电流和反向基极电流以, (c)输出电压波形及临界饱和电流等,也可以改善动态特性,提高开关速度。
基本BJT反相器的动态性能,在上一节中,图3.2.1(a)所示电路的输出电压与输入电压相位相反,因而可以作为基本的BJT反相器。由于BJT管子基区内电荷的存入和消散需要一定的时间,因此开关速度受到限制。影响开关速度的另一个原因是,当基本反相器接电容性负载CL(电路如图3.2.3所示),当反相器输出电压vo由低向高过渡时,电路由ycc通过Re对CL充电。反之,当p。由高向低过渡时,C1,又将通过BJT放电。这样,CL的充、放电过程均需经历一定的时间,这必然会增加输出电压v波形的上升时间和下降时间,导致基本的BJT反相器的开关速度不 图3.2.3带电容性负载的高。寻求更为实用的反相器电路结构,是下面所 要讨论的问题。
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
