当F=ui时,uH=-45°G,由于当ui=0.1和r/yu=10时,相应地可近似得田H=0°和uH=-90°,故在0.1九和10rH之间,可用一条斜率为-45°/十倍频程的直线来表示,于是可画得相频响应曲线如图4.7.3b所示。图中亦用虚线画出了实际的相频响应。

同样,作为一种I程近似方法,存在一定的相位误差也是允许的。由上述分析可知,当输人信号的频率y系数的幅值u|H最大,而且不随信号频率而变化,即低频信号能够不衰减地传输到输出端,也不产生相移。u/土yi时,AlH下降3dB,且产生-45°相移。

y>u后,随着r的增加,AlH按一定的规律衰减,且相移增大、最终趋于-90°(这里的负号表示输出电压滞后于输人电压)。掌握RC低通电路的频率响应,将有助于对放大电路高频响应的分析与理解。

RC高通电路的频率响应,在输人信号的低频区内,放大电路中耦合电容和旁路电容对电路放大能力的影响,可用图4.7.4所示的RC高通电路的频率响应来模拟。利用复变量s,由图可得此电路的电压,传递函数为图4.7.4 uC高通电路,放大电路的频率响应.

由波特图可知,当输人信号的频率r>u时,RC高通电路的电压传输系数的幅值|Au|最大,且不随信号频率变化而变化,也不产生相移。r=1此时,|uL|下降3 dB,且产生+45°相移(这里的正号表示输出电压超前于输人电压)。r的结论:

电路的截止频率决定于相关电容所在回路的时间常数t=RC①,见式(4.7.2)和式(4.7.7)。

当输入信号的频率等于上限频率九或下限频率人时,放大电路的增益比通带增益下降3dB,或下降为通带增益的0.707倍,且在通带相移的基础上产生-45°或+45°的相移。

工程上常用折线化的近似波特图表示放大电路的频率响应。BJT的高频小信号模型及频率参数.

研究放大电路的高频性能,无论对模拟集成电路或分立元件电路都是必需的,而影响高频性能的主要原因之一是BJT的极间电容。下面讨论BJT的高频小信号模型,并利用这一模型分析BJT的频率特性和频率参数。

BJT的高频小信号模型,在4.3.2节中根据BJT的特性方程,导出了它在放大区的H参数低频小信号模型,但在高频小信号条件下,必须考虑BJT的发射结电容和集电结电容的影响,由此可得到BJT的高频小信号模型,如图4.7.6所示。现就此模型中的各元件参数作简要说明。

基区体电阻rbb图中b是为分析方便而虚拟的基区内的等效基极,rbb.表示基区体电阻。不同类型的BJT,rbb的值相差很大,器件手册中常给出rbb的值约在几十至几百欧之间。

电阻Fbe和电容Cbe rbe是发射结正偏电阻re折算到基极回路的等效电阻,即rⅡ=(1+u)rc=(1+u)k。Cbe是发射结电容,对于小功率管,Cbe约在几十至几百皮法范围。

集电结电阻rbc和电容Cbc 在放大区内集电结处于反向偏置,因此rbc的这里的R和C分别是相关回路中的等效电阻和等效电容,放大电路的频率响应.

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