MTH11020穿心电容对高频共模干扰的旁路作用,安置于外壳上穿心电容,电路表示法,穿心电容对共模电流的旁路,如图10-27所示.

穿心电容与铁氧体磁环经常一起用于抑制高频干扰。例如,一电动机炭刷发出的高频干扰将向外辐射或通过接线端传导至低电平电路,解决该问题的措施是首先加屏蔽层防止辐10-28所示。

由一外壳屏蔽层铁氧体磁环,与穿心电容的组合应用,嘲制路的控电铁粉心,其他低电源变压器的电屏蔽,由于电源变压器的初次级线圈靠得很近,这两部分之间有数百pF左右的分布,电容,如图10-30(a)所示。这种分布电容不仅容量大,而且频率特性也很好,对高频噪声有很低的阻抗。因而把电网中的高频尖峰脉冲噪声通过这种电容耦合到变压器的次级线圈上。采用静电屏蔽的方法便可抑制这种电磁干扰,图10-30(b)中画出了在变压器初级绕组和次级绕组之间加有静电屏蔽的示意图。

它是在绕制完变压器的初级绕组后,在此绕组上用0.02~0:03,变阻器和TRS的响应时间比较,mm厚的薄铜皮包一层,铜皮的始端与末端必须有3~5mm的重叠部分,但重叠部分要相互绝缘。像这样的屏蔽层若再加一层,两个屏蔽层之间也要绝缘,则效果更好。引线阻抗z是屏蔽的关键之一,屏蔽层的引J线要尽可能地短和粗。另外,屏蔽层的引出线与屏蔽层的接触电阻要做得很小,并且要能长期稳定可靠。也可直接利用屏蔽层的铜皮作引线,使引线与屏蔽层为一体,这样便不存在接触可靠性等问题。而且由于铜皮的电感要比一般导线小,可以得到较小的引线阻抗,如图10-26所示。

屏蔽层变压器的初次级间的静电耦合,及其静电屏蔽图10-30(b)所示的Cs是加了屏蔽层之后,初次级绕组仍然残存的分布电容,这是由于屏蔽层不能完全封闭地包住初级绕组,仍然有一部分电力线绕过屏蔽层到达次级,造成残存的分布电容。据测量,一般200VA左右的小型电源变压器,其初级或次级对屏蔽层的容量约为500pF,这就是说,若屏蔽层不接地的话,初次级间的分布电容为250pF左右。当屏蔽层接地后,初次级分布电容降为20pF左右,这就是残存的分布电容Cs的值。还可设法减小这种残存分布电容,例如,在绕制时特地将绕组的宽度绕窄一些,而将屏蔽层宽度尽可能宽一些,使泄漏的电力线变得更少。除此以外,还有使变压器的静电屏蔽能力更加完善的措施,不一一列举了。

电源的去耦滤波,供电系统不是理想的电压源,它能通过电源公共阻抗,形成各用电电路之间的耦合。消除的上升沿浪涌电流过,电压应时间器变Τ限制电压,如图10-29所示.

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