TH30081C列两个地址寄存器。行、列地址分别由行地址选通信号RAs①和列地址选通信号CAs②控制,送人各自的寄存器。此外,DRAM内部还设有刷新计数器和刷新控制及定时电路,由此可以自动产生行地址进行刷新。

行地址选通石峦地址月列地址选通C以s数据输入/输出J/o读/写万E输出使能亏刀DRAM的基本结构,DRAM的操作方式比SRAM要复杂些,这里只举出几种典型操作。

读/写操作,读/写操作时,首先RAs和CAS先后变为低电平,将行和列地址分别送入相应地址寄存器。然后在读写控制信号WE作用下完成读/写操作。读操作时,输出使能0E应为低电平。操作时序如图7.2.3(a)所示。

页模式操作,所谓“页”是指同一行的所有列构成的存储单元。页模式下的读写操作与一般读写操作的差别在于不改变行地址,而只改变列地址。但行地址选择RAS必须始终保持低电平。页模式可以显著提高读写速度,其读操作时序如图7.2.3(b)所示。

RAs只刷新操作,该操作只刷新行地址指定行的所有存储单元,不进行任何实际的读写操作。在整个操作周期CAs要保持高电平,其时序如图7.2.3(c)所示。该操作一次只刷新一行,且需要外部地址计数器提供刷新地址。

系Row Address strobe的缩写。

系Column Address strobe的缩写。

存储阵列行译码,择器行地址,寄存器列地址,寄存器刷新计,数器刷新控制及定时输入/输出,缓冲器及灵敏放大器,存储器、复杂可编程器件和明场可编程阵列.

由于DRAM的存储单元结构简单,其集成度远高于SRAM,最大容量已达1Gbit,时钟最高工作频率达250 MHz。所以同等容量情况下,DRAM更廉价。

目前,DDR SDRAM已成为个人电脑的主流内存。其改进型DDR ⅡSDRAM将很可能成为下一个主流内存。表7.2.8所示为几种DRAM产品。

表7.2.3 几种DRAM产品,MT48LC8M8A2TG,K4H280838F,MT47H64M16,HY5PS1 G831(L).

存储容量的扩展,目前,尽管各种容量的存储器产品已经很丰富,且最大容量已达1 Gbit以上,用户能够比较方便地选择所需要的芯片。但是,只用单个芯片不能满足存储容量要求的情况仍然存在。个人电脑中的内存条就是一个典型的例子,它由焊在一块印制电路板上的多个芯片组成。此时,便涉及存储容量的扩展问题。

扩展存储容量的方法可以通过增加字长(位数)或字数来实现。

字长(位数)的扩展,通常RAM芯片的字长为1位、4位、8位、16位和32位等。当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时,需要对RAM实行位扩展。

位扩展可以利用芯片的并联方式实现,即将RAM的地址线、读/写控制线和片选信号对应地并联在一起,而各个芯片的数据输人/输出端作为字的各个位线。如图7.2.10所示,用4个4K×4位RAM芯片可以扩展成4K×16位的存储系统。

字数的扩展,字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选使能输人端来实现。例如,利用2线一4线译码器74139将4个8K×8位的RAM芯片扩展为32K×8位的存储器系统。扩展方式如图7,2,11所示,图中,存储器扩展所要增加的地址线我4、A“与译码器的74139的输人相连,译码器的输出‰~y3分别接至4片RAM的片选信号控制端CE。这样,当输入一个地址码(代4~14时,只有一片RAM被选中,从而实现了字的扩展,存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列.

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