UC5603N存储器、复杂可编程器件和现场可编程闸阵列,ssRAM典型的读写操作定时图,(a)一般模式的读写操作 (b)丛发模式的读写操作.

注:①图中假设输出使能信号0E始终有效(低电平)。②0(A1)表示Al地址单元中的数据被读出,出现在r/o线上。I(A1)则表示向Al地址单元写人的数据出现在〃o线上。实际上,J/o线上的数据是前一个CP沿作用的结果。③A1+1表示在A1地址基础上,由丛发计数器产生的第一个地址,A1+2表示由丛发计数器产生的第二个地址,余类推。

来时,由丛发计数器在上一个A1⒕。基础上,计数生成下一个地址的AIAO进行读/写。由于丛发计数器是2位计数器,所以在ADy保持高电平时,可以连续生成4个不同的地址。sSRAM的这种丛发模式,在连续读/写多个字时,可以

注:对于DDR、DDR Ⅱ和QDR Ⅱ,工作电压指核心工作电压。

动态随机存取存储器,DRAM存储单元,图7.2.2所示的SRAM存储单元由6个MOs管构成,所用的管子数目多、功耗大,集成度受到限制,动态随机存取存储器DRAM克服了这些缺点。

DRAM的存储单元由一个MOs管和一个容量较小电容器构成,如图7.2.7中点画线框内所示。它存储数据的原理是电容器的电荷存储效应。当电容C充有电荷、呈现高电压时,相当于存有1值,反之为0值。MOs管T相当于一个开关,当行选择线为高电平时,T导通,C与位线连通,反之则断开。由于电路中存在漏电流,电容器上存储的数据(电荷)不能长久保存,因此必须定期给电容补充电荷,以免存储数据丢失,这种操作称为刷新①或再生。

写操作时,行选线X为高电平,T导通,电容器C与位线B连通。同时读写控制信号WE为低电平,输入缓冲器被选通,数据D1经缓冲器和位线写人存储单元(外部输入/输出引脚上的数据经列选通电路送至D1。图中未画列选通电路)。如果D1为1,则向电容器充电,反之电容器放电。未选通的缓冲器呈高阻态。

读操作时,行选线X为高电平,T导通,电容器C与位线B连通。此时刷新系Refresh的译称,时钟频率/MHz字×位,存储器、复杂可编程器件不/7朔场可编程闸阵列.

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