XC2VP30-6FG676I自锁螺帽,压力垫片,自锁螺帽压力垫片,接线片遭腐蚀波LV垫片色应之多金属结栖,防腐蚀螺栓垫片,接线片在标准预装接地桩的安装,接线片在1类非密封和1类,密封直接接地桩的安装,密封剂(确保接线片与结构满密封剂)连线片螺栓头,BACJ40C,D,E连接跳线在2类,完全密封直接接地桩的安装,易爆危险区域的接触电阻测试仪表,件号生产厂商,螺栓压力垫片接线片,接线片型血翔,防腐蚀垫片,在1类非密封和6类密封托板螺帽接地桩的安装接地桩的最大接触电阻值,如表6-43所示。

非易爆区域接触电阻测试,在表6-44里选择推荐的接触电阻测试仪表。如果使用Model M1毫欧表测量AC和DC回路电流接地,不需要脱开设备插头;如果使用其他型号毫欧表需脱开设备插头。 

接地桩最大接触电阻,非易爆区域的接触电阻测试仪表

接地桩最大电阻/Ω件号生产厂商,易爆危险区域接触电阻测试,在易爆危险区域使用毫欧表之前,确保此区域没有危险蒸气存在,在表6-45里找到允许使用的毫欧表。

金属结构 、板螺帽,ssRAM的基本结构.

读操作时,控制信号和地址输人在CP的上升沿被取样,当丛发使能控制ADy和片选CE为低电平时,地址线上的地址被锁存到地址寄存器中,高电平的WE也被寄存到读写控制逻辑电路中。此时,读写控制逻辑电路使数据选择器选择地址寄存器中的地址进行译码,在下一个CP有效沿到来前,存储阵列中的数据被送到数据线f/o上输出。操作过程所示。

写操作与读操作类似,只是被取样的WE为低电平。而输人的数据在接下来的CP上升沿锁存到输人寄存器中,同时地址寄存器中的地址又传至写地址寄存器中。此时,读写控制逻辑电路使数据选择器选择写地址寄存器中的地址进行译码,在输入驱动电路的作用下,将输人寄存器中的数据写人存储阵列。写操作时,读写控制逻辑电路将自动屏蔽输出使能信号oE,使三态输出缓冲器呈现高阻态。操作过程所示。

丛发模式读写操作是sSRAM中特有的①。当丛发使能控制且D/为低电平时,A1A。可直接穿过丛发控制逻辑电路,按外部给定的地址进行读/写,此时就是上述的一般读写操作。但当丛发使能控制ADy为高电平时,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一个时钟周期输人的地址,在CP下一个上升沿到,不仅SSRAM中有丛发模式,而且sDRAM中也有该模式。

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