XC2VPX20-5FF896I太松合适导线拼接管,绝缘套管,拼接管横截面检查.

如果想更详细地对压接后的导线终端进行可靠性测试,使用原制造厂商的电子拉力测试系统MPT-250B测试导线终端的拉力测试数值。

波音系列飞机导线的修理,对于波音系列飞机上允许修理的导线,导线芯线损伤20%及以上时,必须进行永久性修理;发动机及APU部分发电机的电源馈线,导线芯线损伤20%及以上时,不允许修理的必须更换;如果导线芯线损伤没有达到20%时,只需要进行绝缘层修理工作。

绝缘层修理,在导线绝缘损伤区域去除多余的绝缘层且确保绝缘层表面平滑;使用异丙醇清洁导线绝缘损伤位置每侧大约3in的区域,保持清洁区域干燥,如图所示。

如果在绝缘损伤区域出现空洞,使用温度等级D类的薄膜胶带或TFE胶带进行填充,同时确保绝缘层表面平滑,如图所示。在空洞处最少缠绕两层胶带,确保胶带缠绕时最小重叠50%,第二层需要与第一层缠绕方向相反;多层薄膜胶带的每一侧末端超出空洞损伤边缘最小距离是0.25in。

选择温度等级D类的TFE胶带或温度等级C类的硅树脂胶带或相同温度等级的热缩管;在绝缘损伤区域缠上两层胶带,确保胶带缠绕时最小重叠50%,第二层需要与第一层缠绕方向相反,如图所示;每一侧胶带末端超出填充空洞使用的多层薄膜胶带末端最小距离是0.75in;每一侧胶带末端超出损伤边缘最小距离是1in太紧.

减少外部地址总线的占用时间,提高读写效率。读/写时,每4个字一组,外部只需提供首地址,其余3个地址由ssRAM内部丛发计数器产生。如果超过4个时钟周期仍保持丛发模式(不读人新的外部地址),则按丛发计数器循环产生的地址进行读/写操作。丛发模式的读写操作过程所示。

在由sSRAM构成的计算机系统中,由于在时钟有效沿到来时,地址、数据、控制等信号被锁存到ssRAM内部的寄存器中,因此读写过程的延时等待均在时钟作用下由sSRAM内部控制完成。此时,系统中的微处理器在读写sSRAM的同时,可以处理其他任务,从而提高了整个系统的工作速度。另外,由于sSRAM采用与时钟同步的方式工作,因此可以将读写过程的各种延时进行优化设计,且限制在芯片内部,使得sSRAM的读写速度高于SRAM。

sSRAM的这种同步工作方式也使其应用更简便。用户使用时,所有的输人信号只要围绕时钟的有效沿进行设计即可。因此,目前ssRAM已广泛应用于各种同步工作的数字系统中,特别是与处理器一同工作的系统,例如个人电脑中的超高速缓冲存储器(Cache)。

其他SSRAM,随着计算机技术及相关行业(例如互联网)的快速发展,对存储器提出了更高的要求。高速、高密度、低功耗早已成为RAM发展的永恒主题。在ss-RAM之后,各大RAM厂商又先后开发出双倍数据传输率静态随机存取存储器(DDR①SRAM)和四倍数据传输率静态随机存取存储器(QDR②SRAM)。

上述sSRAM只在时钟的上升沿传输数据,并且共用读/写数据总线,读和写只能分时进行。这种sSRAM也称为单倍数据传输率静态随机存取存储器(SDR③SRAM)。DDR SRAM是在ssRAM基础上经过改进,在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据,这样数据传输效率提高了一倍,但是读写仍不能同时进行。

QDR SRAM进一步改进了结构,为读和写操作分别提供独立的接口,不但在每个时钟周期的上升沿和下降沿共传输两次数据,而且每次读写能够同时进行,避免了数据总线的争抢,使数据传输效率相对于ssRAM提高了两倍。

对DDR和QDR某些性能进行改善后的产品称为DDR Ⅱ和QDR Ⅱ SRAM。目前,采用0.09 um工艺技术生产的SRAM最高容量已达72 Mbit,最高时钟工作频率达到333 MHz。

为几种SRAM产品的几个主要指标,系Double Data Rate的缩写,系Quad Data Rate的缩写,系Singlc Data Rate的缩写。