DTSM-63K-V当LGs＞0,在绝缘层和衬底之间表面形成一层耗尽层,但负离子不能导电。UGs=UT时,漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极之间加正向电压UDs时,将会产生电流rD。

在UDs>0时,有三种情况存在,其结果如下:若UGs(UT,耗尽层消失,无导电沟道,ID为0;若LIGs)UT,出现导电沟道,D、S之间有电流JD流过;若UGs逐渐增大,沟道加厚,沟道电阻减少,JD也随之逐渐增大,即UGs控制D的变化。

N沟道耗尽型MOS场效应管应管结构及符号所示。

N沟道耗尽型绝缘栅场效siO,N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构及符号,当UGs=0时,UDs加正向电压,产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流,用Dss表示。

当UGs>0时,将使ID进一步增加。当LIGs<0时,随着UDs的减小漏极电流逐渐减小.直至II>0。

MOS场效应管使用注意事项 MOS场效应管由于输入阻抗高极易被静电击穿,使用时应注意事项如下。

从场效应管的结构来分析,其源极和漏极是对称的,所以一些场合源极和漏极可以互换。制造时已将衬底引线与源极连在一起的场效应管,源极和漏极就不能互换。

场效应管各极间电压极性输人正确,结型场效应管的栅源电压UGs极性不能接反。

当MOS管的衬底引线单独引出时,如果是N沟道MOs管,应将其接到电路中的电位最低点,如果是P沟道MOS管,应将其接到电路中的电位最高点,以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置,使衬底与沟道及各电极隔离。

MOS管的栅极是绝缘的,感应电荷不易泄放,而且绝缘层很薄,极易击穿.栅极不能开路。

焊接MOS场效应管时,电烙铁必须可靠接地或者断电利用烙铁余热焊接,并注意对交流电场的屏蔽。

取出的MOS器件不能放在塑料板上,应用金属盘来盛放。场效应管外形如图8-9所示。

To-220AB 1―Gatc;2-I)rain;3-Sourcc晶间管(Thyr“tor)有三个极.分别为阳极、阴极、门极,广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管叉叫可控硅(SCR,S山con Controlled Recti-fier),是一种大功率半导体器件,最早出现于20世纪70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。晶闸管的主要特MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中也可用细线．