BM1430转移特性曲线,在场效应管漏源电压保持不变的情况下,从图8-4中可以得出以下结论:栅源电压UGs=0时,漏极电流D=Dss。栅源电压UGs向负值方向变化时,漏极电流ID逐渐减小。栅源电压UGs=UP时,漏极电流JD=0。

rDss称为饱和漏极电流,UP称为夹断电压。输出特性曲线 输出特性曲线是表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间的关系,如图8-5所示。

电阻区、放大击穿区、截止区。

由场效应管组成的放大电路中,场效应管必须工作在放大区,即必须采用合适的直流电流将其工作点(UDs,rD)设置于输出特性曲线的放大区或恒流区,且保持稳定。与三极管放大电路相类似,场效应管放大电路有共源、共漏、共栅二种接法。

绝缘栅型场效应管,绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管,简称MOS管。绝缘栅场效应管也有N沟道型及P沟道型两种结构形式。无论是N沟道型或P沟道型,都有增强型和耗尽型两种。

N沟道增强型绝缘栅场效应管 以P型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的N・区并引出两个电极,作为源极S和漏级D。制作场效应管时先在半导体上制作Sio2绝缘层,之后在Sio2上制作一层金属铝,引出电极作为栅极G,此时的P型半导体称为衬底B。N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图8-6所示,N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号,场效应管可看作一个受栅源电压控制的,可当yDs增剧增,出现电击穿。如果对此不加限制,将损坏场效应管。不允许场效应管工作在这个区域,rD-IV恒流区场效应管,在恒流区具有线性放大作用,-2V截止区-41栅极P衬底.

缘栅型场效应管的特点是输入电阻高,噪声小。在通常情况下.源极一般都是与衬底相连.即Us=0。为保证N沟道增强型MOs管正常工作,应达到如下条件。

UGs=0时,漏源之间是相当于两只背靠背的PN结,不论UDs极性.两个PN结中总有一个PN结反偏,即不存在寻电沟道。LIGs必须大于0(UGs>0),场效应管才能工作。

漏极对源极的电压UDs必须为正值(UDs)0)。在漏极电压作用下,源区电子沿导电沟道行进到漏区,产生自漏极流向源极的电流。

N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理，当UGs=0,在漏、源极之问加正向电压UDs时.漏源极之P衬底MoSFET是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理．