ZGP323HEP2832C静电的危害,集成电路元器件的线路缩小,耐压降级,线路面积减少,使得器件耐静电冲击能力减弱,静电电场和静电电流成为这些高密度元器件的致命杀手。同时大量的塑料制品等高绝缘材,料的普遍应用,导致产生静电的机会大增。

静电放电对敏感元器件的影响,静电的基本物理特性为:吸引或排斥,与大地有电位差,会产生放电电流。在电子工业过程中从元器件的生产到使用的整个过程都会产生静电。静电产生后会在其周围形成静电场,产生力学效应、放电效应及静电感应效应等。在上述几点效应中,放电效应造成的危害最为严重。静电放电产生的电压可能高达数千伏,甚至数万伏,对于静电敏感元器件来说,可能几十伏的电压就可以将它击穿。

现代飞机上的电子设备应用了大量集成电路,如各种计算机的运算电路、数据处理电路和储存电路,接收机中的放大电路、信号处理电路和各种控制电路等。这些电路大多是由半导体器件构成,半导体器件有很多优点,但也很脆弱,稍有不慎有可能遭到静电袭击而使机件蕻设备受到破坏。许多可更换电子组件(LRU)内包括各种各样的微电路板和其他敏感装置,也属于飞机的静电放电敏感元件(ESDS)。

静电放电对飞机维护操作的影响主要表现在:静电放电损害能导致需要准备额外的备用件和产生备用组件短缺的结果;许多易受静电放电损害的组件和电子电路在遭受损害后,除了会出现容易监测到的硬件故障,还会出现隐藏的或是延时的其他故障;性能退化是静电放电损害对电路产生的最常见的影响,组件继续运行,但却伴随着性能的退化或改变。包含着这些元件的单元或许通过了正常的完全装配测试,但是在实际的应用中却不能正确地运行。

静电损害的特点,根据静电放电对元器件的损害后果不同,可将静电危害的特点归纳如下:

暂时性失效 可能发生于某类元件上的记忆体和晶片上,典型的征兆是失去资料或功能暂变,而硬件方面却没有明显的损伤。

潜伏性损坏 也称为软击穿,可造成元器件性能劣化或参数指标下降,但还没有完全损坏,从而形成隐患,在最后质量检测中很难被发现。在使用时静电造成的电路潜在损伤会使其参数变化、品质劣化、寿命降低,使设备运行一段时间后随温度、时间、电压的变化出现各种故障从而不能工作。

永久性损坏 也称为硬击穿,是一次性造成芯片过热击穿、金属镀层、熔融、介质击穿、表面击穿等,最终使集成电路彻底损坏,永久失效。永久性损坏发生时,设备就不能通过测试。

就是线性放大器必须满足的小信号条件。忽略式的v∶s项,可得

jD=Kn(ycsQ-h)2+2Kn(ycsQ-h)vgs

=rDQ+gm rgs=fDQ+jd         

考虑到NMOs管的uG=0,栅极一源极间的电阻很大,可看成开路,而jd=gmus,因此,可画出共源极NMOs管的低频小信号模型.考虑入≠0场效管输出电阻r“为有限值时的低频小共源极NMOs管的低频小信号模型(a)N沟道增强型MOS管(b)=0,r=∞时的低频小信号模型(c)大≠0,rds为有限值的低频小信号模型,场效应管放大电路.

由于场效应管的gm较低,因此与BJT放大电路相比,MOs管放大电路的电压增益也较低。上式中Ar带负号表明,若输入为正弦电压,输出电压臼。与输人vi的相位相差180°。共源电路属倒相电压放大电路。

MOS管的参数为%=1V,Kn=500 uA/Ⅴ2,u=0。