W78C31B16输入级V3为多发射极晶体管,它相当于发射极独立而基极和集电极分别并在一起的三极管。

输出级为推拉式结构,复合管V5、Ⅴ6和Ⅴ7分别由互相倒相的Ⅴ4集电极和发射极电压控制,使得Ⅴ5、Ⅴ6饱和导通时,Ⅴ7截止,当V5、Ⅴ6截止时,Ⅴ7饱和导通(称为图腾输出电路)。

当输入端全为1时,输出端为0;当输入端不全为1时,输出端为1。

ttL与非门电路的主要技术参数有:

输出高电平u0H 指有一个(或几个)输人端是低电平时的输出电平。uoh的典型值约为3.5Ⅴ。

输入短路电流JIs 当某一输人端接地而其余输人端悬空时,流过这个输人端的电流称为输入短路电流。

输出低电平uoL 指输人端全为高电平时的输出电平。标准低电平σsL=0.4Ⅴ。

扇出数Ⅳ0 表示与非门输出端最多能接几个同类的与非门。典型电路中Ⅳ0≥8。

开门电平y。N和关门电平uoFF 在额定负载下,使输出电平达到标准低电平L时的输入电平称开门电平。当输出电平上升到标准高电平I/sH时的输人电平称关门电平。

空载损耗 与非门空载时,电源总电流rc13与电源电压yc的乘积称空载损耗。

高电平输人电流JIE 某一输入端接高电平,而其余输人端接地时的电流。一般情况下rm<50uA。

平均传输延迟时间rpd 是用来表示电路开关速度的参数。定义为与非门的导通延迟时间td(on)与截止延迟时间td(off)的平均值。

CMOS集成逻辑门电路 由金属一氧化物一半导体场效应管构成的集成电路简称MOS电路,兼有N沟道和P沟道两种的增强型MOs管电路称互补MOS电路,简称CMOS电路。

CMOS集成电路的特点(与TrL集成电路相比较),静态功耗低,电源电压范围宽,输入阻抗高,扇出能力强,抗干扰能力强,逻辑摆幅大,温度稳定性好,工作速度低于TL电路,功耗随频率的升高显著增大。

CMOS非门电路 常称CMOS反相器。由两个场效应管组成互补工作状态,如图14-23所示,当输人端为1时,输出端为0;当输入端为0时,输出端为1,实现反相。

CMOS与非门电路 由两个以上COMS反相器P沟道增强型MOS管源极和漏极分别并接,N沟道增强型MOs管串器电路接,就构成CMOs与非门电路,如图14-24所示。当两个输入端全为1时,输出端为0;当输人端中有一个或全部为0时,输出端为1。

CMOs或非门电路 将两个CMOs反相器的开关管部分并联,负载管部分串联,就构成CMOs或非门电路,如图14-25所示。当两个输人端全为1或其中一个输人端为1时,输出端为0;只有当两个输人端全为0时,输出端才为1。