ST902I阻抗射极跟随器
发布时间:2019/11/9 21:50:54 访问次数:1451
ST902IiD6存在下列关系
iref+ids-ysc5-yDD/RREF+yss+/Gs5/RRE1 (6.4.1)
和rREF=KP5(7Gs5-vdd)2 (6.4.2)
设T1~T2的|us|=0.5v,各管的W/L(宽长比)和参数如表6.4.1所示,RREI=225 kΩ。将式(6.4.1)和式(6,4.2)联解,可得
7cs5=-1V (即ysG5=1Ⅴ)
表6.4.1 T1~T:的W/L和各参数值
因此由式(6.4.1)可求出
iref=id6=(10-1)v/225kΩ=40ua
故有
fD1=rD2=rD3=JD4=rD6=20uA
考虑到T5、T6、T7的参数相同,即得
rD=fREF=rD7=40uA
从T7的宽长比是T3和T4的2倍,也证明T7的电流应是T3、T4电流的2倍。
小信号分析,求输人级的电压增益Av1,输人级的差模小信号为ogs1=-h,Vgs2=+ui。由于源极耦合差分放大输入级与图6.2.8的电路原理相同,故由式(6.2.22)可直接写出T2的输出电压ui2(即T7的输入电压rgs7)为
yi2=gs=[gm1(-thd/2)-gm2(+%d/2)](ro2‖ro4)
=-gm2od(rds2||ro4) (6.4.3)
输人级差分电路是对称的,式中gm1=gm2,故输入级的电压增益由式
为(提示:u=gmrds)
au=-u[rds+(1+u)R1]/2rde+(1+u)(r1+R2)
输出电导为
go=1/ro=1/rds+(1+u)r1+1/rds+(1+u)r2
如果R1=R2=r试求au和Ro。
图题5.5.3为一带自举电路的高输人阻抗射极跟随器。试定性说明:(1)电压增益接近1;(2)如图所示,通过C3引人自举可减少漏栅电容对输人阻抗的影响;(3)通过C2引人自举大大提高了放大器的输人电阻。
电路如图题5.5.4所示,设FET的互导为gm,rds很大;BJT的电流放大系数为vDD.
把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路,称为集成电路(IC)①。它的体积小,而性能却很好。集成电路按其功能来分,有数字集成电路和模拟集成电路。模拟集成电路种类繁多,有运算放大器、宽频带放大器、功率放大器、模拟乘法器、模拟锁相环、模一数和数一模转换器、稳压电源和音像设备中常用的其他模拟集成电路等。模拟集成电路是本章的主干内容。它是集成电路设计与制造工艺不断发展的成果。
本章首先讨论模拟集成电路中普遍使用的直流偏置技术,即用集成工艺制造的BJT或FET的各种电流源。电流源除可为电路提供稳定的直流偏置外,还可作放大电路的有源负载以获得高增益。
其次,模拟集成电路的另一组成单元是用BJT和FET组成的差分式放大电路,将重点讨论其工作原理和主要技术指标的计算。接着分析两种集成运放的买际电路,介绍集成运放的技术参数。随后,对变跨导模拟乘法器及其应用也作简要的讨论。最后,对放大电路中的噪声和干扰的来源及其抑制措施作简要的介绍。
IC系Integrated Circuits的缩写。
ST902IiD6存在下列关系
iref+ids-ysc5-yDD/RREF+yss+/Gs5/RRE1 (6.4.1)
和rREF=KP5(7Gs5-vdd)2 (6.4.2)
设T1~T2的|us|=0.5v,各管的W/L(宽长比)和参数如表6.4.1所示,RREI=225 kΩ。将式(6.4.1)和式(6,4.2)联解,可得
7cs5=-1V (即ysG5=1Ⅴ)
表6.4.1 T1~T:的W/L和各参数值
因此由式(6.4.1)可求出
iref=id6=(10-1)v/225kΩ=40ua
故有
fD1=rD2=rD3=JD4=rD6=20uA
考虑到T5、T6、T7的参数相同,即得
rD=fREF=rD7=40uA
从T7的宽长比是T3和T4的2倍,也证明T7的电流应是T3、T4电流的2倍。
小信号分析,求输人级的电压增益Av1,输人级的差模小信号为ogs1=-h,Vgs2=+ui。由于源极耦合差分放大输入级与图6.2.8的电路原理相同,故由式(6.2.22)可直接写出T2的输出电压ui2(即T7的输入电压rgs7)为
yi2=gs=[gm1(-thd/2)-gm2(+%d/2)](ro2‖ro4)
=-gm2od(rds2||ro4) (6.4.3)
输人级差分电路是对称的,式中gm1=gm2,故输入级的电压增益由式
为(提示:u=gmrds)
au=-u[rds+(1+u)R1]/2rde+(1+u)(r1+R2)
输出电导为
go=1/ro=1/rds+(1+u)r1+1/rds+(1+u)r2
如果R1=R2=r试求au和Ro。
图题5.5.3为一带自举电路的高输人阻抗射极跟随器。试定性说明:(1)电压增益接近1;(2)如图所示,通过C3引人自举可减少漏栅电容对输人阻抗的影响;(3)通过C2引人自举大大提高了放大器的输人电阻。
电路如图题5.5.4所示,设FET的互导为gm,rds很大;BJT的电流放大系数为vDD.
把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路,称为集成电路(IC)①。它的体积小,而性能却很好。集成电路按其功能来分,有数字集成电路和模拟集成电路。模拟集成电路种类繁多,有运算放大器、宽频带放大器、功率放大器、模拟乘法器、模拟锁相环、模一数和数一模转换器、稳压电源和音像设备中常用的其他模拟集成电路等。模拟集成电路是本章的主干内容。它是集成电路设计与制造工艺不断发展的成果。
本章首先讨论模拟集成电路中普遍使用的直流偏置技术,即用集成工艺制造的BJT或FET的各种电流源。电流源除可为电路提供稳定的直流偏置外,还可作放大电路的有源负载以获得高增益。
其次,模拟集成电路的另一组成单元是用BJT和FET组成的差分式放大电路,将重点讨论其工作原理和主要技术指标的计算。接着分析两种集成运放的买际电路,介绍集成运放的技术参数。随后,对变跨导模拟乘法器及其应用也作简要的讨论。最后,对放大电路中的噪声和干扰的来源及其抑制措施作简要的介绍。
IC系Integrated Circuits的缩写。