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LP8358MF-1.2/NOPB差分式放大电路

发布时间:2019/11/8 18:38:06 访问次数:1065

LP8358MF-1.2/NOPBR、i3和i4的值。各管的w/L值见图示。

6,1,4 图题6.1.4是由PMOSFET T2、T3组成镜像电流源作为有源负载,NMOSFET T1构成共源放大电路。当rd=r2=2MΩ,h1=1V,导电系数Κ=1(X)uA/v2,rREF=1∞uA,求A″。

        

6.1.5 电流源电路如图题6.1.5所示,vDD=+5V, -yss=-5v,T1~T5为特性相同的NMOs管, yT=2v,Kn2=Kn3=Κ=Ku5=0.25 mA/V2,Kn1=0.10 mA/Ⅴ2,入=0,求fREF和J值。

          

差分式放大电路,在图6.2.2所示的射极耦合差分式放大电路中, +%c=+10Ⅴ, -%E=-10V,f=1n,r=25 kΩ(电路中未画出),民=凡2=10 kΩ,BJT=200,‰E=0.7V;(1)当vil=%=0时,求rc、ym和ycn;(2)当%=-%2=+各时,求双端输出时的A耐和单端输出的A,d1、c1和KcMR1的值。

         

电路如图题6.2.2所示,气=凡2=100Ω,BJT的u=100,y:F=0.6v,电流源动态输出电阻ro=1o0kΩ。(1)当以1=0.01Ⅴ、p i2=-0.01Ⅴ时,求输出电压v。=pl-p2的值;(2)当c1、c2间接人负载电阻RL=5.6 kΩ时,求田′。的值;(3)单端输出且RL=∞时,p。2=?求A耐2、残c2和KcMR2的值;(4)电路的差模输入电阻凡d、共模输人电阻Ric和不接RL时,单端输出的输出电阻Ro2。

电路如图题6.2.3所示,设BJT的1=2=30,3=4=100,y:u=y:E2=0,6V,y:E3=y:u=0,7v。试计算双端输人、单端输出时的凡d、⒕碰、⒕Ⅱ|及KcMR1的值。

电路如图题6.2,4所示,已知BJT的尸l='2='3=50,rce=2(X)kΩ,%L=0.7Ⅴ,试求单端输出的差模电压增益奸d2、共模抑制比KcMR2、差模输人电阻凡d和输出电阻Ro。

提示:(1)T3、R1、R2和Re3构成BJT电流源;(2)AB两端的交流电阻 

6.2.5 在图题6,2,5所示电路中,电流表的满偏电流JM为100 uA,电表支路的电阻Rm为2 kΩ,两管的尸=50,y:F=0.7v,7ˉbb`=300Ω,试计算:(1)当i=2=0时,每管的fc、∫:、/cE各为多少?(2)为使电流表指针满偏,需加多大的输人电压”6.2~6 电路如图6.2,6所示,Tl~T4特性相同,设`=107,rw=200Ω,y:El=0.7V,

rce2=rcd=167 kΩ,T5的rce5=100 kΩ,凡5=100Ω,651Ω,R=4.7 kΩ,ycc=+6V,

~ym=~6Ⅴ。(1)计算电路的偏置电流;(2)求c2端输出时的差模电压增益代d2、共模电压增益处″c2和共模抑制比凡MR2;(3)求差模输人电阻Ru1,从c2看人的输出电阻凡。

6.2.7 CMOs源极耦合差分式放大电路如图题6,2.7所示,电路参数为+%D=10V,

~yss=~10V, J=0,1 mA, PMOSFET T3、T4的KP=80 uA/V2, λ=0015Ⅴ, /T=-1V。NMOSFET T、T2的Kn=100 uA/v2,入=0.01Ⅴ^1,%=1 Ⅴo确定差模电压增益⒕碰=?+/DD(十10V)

         



CMOS差分式放大电路如图题6.2.8所示,已知+yDD=+5V, ~yss=-5Ⅴ,rRE、T5、T6、T7特性相同,氏R=Kn5=Kn6=Kn7=10 uA/Ⅴ2,y16=y”=2,33Ⅴ,T1与

T2、T3与T4是匹配的对管,Kn1=Kn2=45 uA/Ⅴ2、入二0,05V^1。(1)求电路的基准电流JREF=`。=9且fm=rD2=?(2)当%=-o i2=瞥=5 uⅤ时,求d2端的输出信号电压%2、差模电压增益⒕td2、共模电压增益⒕″c2和共模抑制比KcMR2。

图题6.2,8 CMOsFET差分式放大电路

          

6,2,9电路如图题6.2.9所示,输人信号电压oil=-。i2=瞥,已知电路中Tl~T4参数gm=gm2,gm3=gm4,rdd:r“2,r“3=r凼4,证明电路的电压增益为A=托产=-(gm+g)(rs|rs)

6.2,10 电路如图题6,2,10所示,电路参数如图所示,已知JFET的rDss=4 mA,yP=

-2Ⅴ,T1、T2的gm=1・41 ms,电流源电路T3的gm3=2 mS,电流源的动态电阻RA:=2 110 kΩ。(1)求电路丸d2、残c2(从d2输出时)和KcMR2;(2)当vil=50 mⅤ,%2=10 mⅤ时,求t。2=?

6.2.11 电路如图题6.2.11所示,电路中JFET T1、T2的gm=⒈41 ms,1=0.01Ⅴˉ1,BJT的rc斟=1∞kΩ,电流源电流J。=1 mA,动态电阻r=2o(X)kΩ,RL=们kΩ。当vid=40 mⅤ时,求输出电压%2、共模电压增益气口和共模抑制比KcMR2。


深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/



LP8358MF-1.2/NOPBR、i3和i4的值。各管的w/L值见图示。

6,1,4 图题6.1.4是由PMOSFET T2、T3组成镜像电流源作为有源负载,NMOSFET T1构成共源放大电路。当rd=r2=2MΩ,h1=1V,导电系数Κ=1(X)uA/v2,rREF=1∞uA,求A″。

        

6.1.5 电流源电路如图题6.1.5所示,vDD=+5V, -yss=-5v,T1~T5为特性相同的NMOs管, yT=2v,Kn2=Kn3=Κ=Ku5=0.25 mA/V2,Kn1=0.10 mA/Ⅴ2,入=0,求fREF和J值。

          

差分式放大电路,在图6.2.2所示的射极耦合差分式放大电路中, +%c=+10Ⅴ, -%E=-10V,f=1n,r=25 kΩ(电路中未画出),民=凡2=10 kΩ,BJT=200,‰E=0.7V;(1)当vil=%=0时,求rc、ym和ycn;(2)当%=-%2=+各时,求双端输出时的A耐和单端输出的A,d1、c1和KcMR1的值。

         

电路如图题6.2.2所示,气=凡2=100Ω,BJT的u=100,y:F=0.6v,电流源动态输出电阻ro=1o0kΩ。(1)当以1=0.01Ⅴ、p i2=-0.01Ⅴ时,求输出电压v。=pl-p2的值;(2)当c1、c2间接人负载电阻RL=5.6 kΩ时,求田′。的值;(3)单端输出且RL=∞时,p。2=?求A耐2、残c2和KcMR2的值;(4)电路的差模输入电阻凡d、共模输人电阻Ric和不接RL时,单端输出的输出电阻Ro2。

电路如图题6.2.3所示,设BJT的1=2=30,3=4=100,y:u=y:E2=0,6V,y:E3=y:u=0,7v。试计算双端输人、单端输出时的凡d、⒕碰、⒕Ⅱ|及KcMR1的值。

电路如图题6.2,4所示,已知BJT的尸l='2='3=50,rce=2(X)kΩ,%L=0.7Ⅴ,试求单端输出的差模电压增益奸d2、共模抑制比KcMR2、差模输人电阻凡d和输出电阻Ro。

提示:(1)T3、R1、R2和Re3构成BJT电流源;(2)AB两端的交流电阻 

6.2.5 在图题6,2,5所示电路中,电流表的满偏电流JM为100 uA,电表支路的电阻Rm为2 kΩ,两管的尸=50,y:F=0.7v,7ˉbb`=300Ω,试计算:(1)当i=2=0时,每管的fc、∫:、/cE各为多少?(2)为使电流表指针满偏,需加多大的输人电压”6.2~6 电路如图6.2,6所示,Tl~T4特性相同,设`=107,rw=200Ω,y:El=0.7V,

rce2=rcd=167 kΩ,T5的rce5=100 kΩ,凡5=100Ω,651Ω,R=4.7 kΩ,ycc=+6V,

~ym=~6Ⅴ。(1)计算电路的偏置电流;(2)求c2端输出时的差模电压增益代d2、共模电压增益处″c2和共模抑制比凡MR2;(3)求差模输人电阻Ru1,从c2看人的输出电阻凡。

6.2.7 CMOs源极耦合差分式放大电路如图题6,2.7所示,电路参数为+%D=10V,

~yss=~10V, J=0,1 mA, PMOSFET T3、T4的KP=80 uA/V2, λ=0015Ⅴ, /T=-1V。NMOSFET T、T2的Kn=100 uA/v2,入=0.01Ⅴ^1,%=1 Ⅴo确定差模电压增益⒕碰=?+/DD(十10V)

         



CMOS差分式放大电路如图题6.2.8所示,已知+yDD=+5V, ~yss=-5Ⅴ,rRE、T5、T6、T7特性相同,氏R=Kn5=Kn6=Kn7=10 uA/Ⅴ2,y16=y”=2,33Ⅴ,T1与

T2、T3与T4是匹配的对管,Kn1=Kn2=45 uA/Ⅴ2、入二0,05V^1。(1)求电路的基准电流JREF=`。=9且fm=rD2=?(2)当%=-o i2=瞥=5 uⅤ时,求d2端的输出信号电压%2、差模电压增益⒕td2、共模电压增益⒕″c2和共模抑制比KcMR2。

图题6.2,8 CMOsFET差分式放大电路

          

6,2,9电路如图题6.2.9所示,输人信号电压oil=-。i2=瞥,已知电路中Tl~T4参数gm=gm2,gm3=gm4,rdd:r“2,r“3=r凼4,证明电路的电压增益为A=托产=-(gm+g)(rs|rs)

6.2,10 电路如图题6,2,10所示,电路参数如图所示,已知JFET的rDss=4 mA,yP=

-2Ⅴ,T1、T2的gm=1・41 ms,电流源电路T3的gm3=2 mS,电流源的动态电阻RA:=2 110 kΩ。(1)求电路丸d2、残c2(从d2输出时)和KcMR2;(2)当vil=50 mⅤ,%2=10 mⅤ时,求t。2=?

6.2.11 电路如图题6.2.11所示,电路中JFET T1、T2的gm=⒈41 ms,1=0.01Ⅴˉ1,BJT的rc斟=1∞kΩ,电流源电流J。=1 mA,动态电阻r=2o(X)kΩ,RL=们kΩ。当vid=40 mⅤ时,求输出电压%2、共模电压增益气口和共模抑制比KcMR2。


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