LC3564SM-10TL电路如图5,2.12a所示,设场效应管的参数为gm1=0.7 ms,入1-=入2=0.01V-1。场效应管静态工作时的偏置电流了REF=0.2 mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益au。

电路如图题5.2.8所示,设场效应管的参数为gm1=1 mS,gn2=0.2 mS,且满足1/gm1<<rd和1/gm2<<rds2,试求找au=uo/ri.

已知电路参数如图题5.2.9所示,FET工作点上的互导gm=1 ms,设rde>>

Rd。画出电路的小信号等效电路;求电压增益A,;求放大器的输人电阻Ri。

结型场效应管(JFET),试从图5.3,5b的输出特性中,作出田Ds=4V时的转移特性。考虑P沟道FET对电源极性的要求,试画出由这种类型管子组成的共源放大电路。

一个JFET的转移特性曲线如图题5.3.3所示,试问:它是N沟道还是P沟道的JFET?它的夹断电压yP和饱和漏极电流JDss各是多少?

试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型FET(包括N沟道、P沟道MOS增强型和耗尽型,JFETP沟道、N沟道耗尽型)的转移特性示意图,并标明各自的

开启电压或夹断电压。

四个FET的转移特性分别如图题c、d所示,其中漏极电流扌D的假定正向是它的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET?

已知电路形式如图题5.3.6a所示,其中管子的输出特性如图题5.3.6b所示,电路

参数为Rd=25 kΩ,R=1,5 kΩ,Rg=5 MΩ,%D=15Ⅴ。试用图解法和计算法求静态工作点0。

在图题5.3.7所示FET放大电路中,已知yDD=20V,ycs=-2Ⅴ,管子参数rDss=4 mA,yP=~4Ⅴ。设C1、C2在交流通路中可视为短路。求电阻R1和静态电流

rD;(2)求正常放大条件下R2可能的最大值(提示:正常放大时,工作点落在放大区(即恒流区));设rde可忽略,在上述条件下计算丸和Ro。

源极输出器电路如图题5.3.8所示。已知FET工作点上的互导gi=0.9 ms,

其他参数如图中所示。求电压增益Au、输人电阻Ri和输出电阻Ro。

FET恒流源电路如图题5,3.9所示。设已知管子的参数gm、ri,且u=gm rdso

试证明AB两端的小信号电阻rA:为rA:=R+(1+gInR)rde.

各种放大器件电路性能比较,电路参数如图题5.5,1所示。设FET的参数为gln=0.8 ms,ru=200 kΩ;T2的g=40,uo=1 kΩ。试求放大器的电压增益Ar和输入电阻Ric5.5.2 电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。